公开(公告)号：DE102020122264B4

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102020122264

申请日：2020-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： QUEITSCH UTE ,  BABURSKE ROMAN ,  DIRNSTORFER INGO ,  THEES HANS-JUERGEN

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:- einen ersten Lastanschluss (11) an einer ersten Seite (110), einen zweiten Lastanschluss (12) und, mit dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) gekoppelt, einen Halbleiterkörper (10), der dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten;- mehrere Gräben (14) an der ersten Seite, die sich entlang einer Vertikalrichtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstrecken, wobei- jeder Graben (14) eine Grabenelektrode (141) aufweist, die durch einen Grabenisolator (142) von dem Halbleiterkörper (10) isoliert ist;- zwei der mehreren Gräben (14) lateral nebeneinander angeordnet sind und räumlich einen Mesateil (17) begrenzen;- ein Halbleiter-Sourcegebiet (101) in dem Mesateil (17);- ein Halbleiterbodygebiet (102) in dem Mesateil (17);- einen Kontaktstopfen (111), der sich von der ersten Seite in den Mesateil (17) erstreckt,wobei der Kontaktstopfen (111) wie folgt angeordnet ist:- sowohl in Kontakt mit dem Halbleiter-Sourcegebiet (101) als auch dem Halbleiterbodygebiet (102);- in Kontakt mit dem Grabenisolator (142) von einem der beiden Gräben (14), die den Mesateil (17) räumlich begrenzen, aber elektrisch isoliert von der Grabenelektrode (141) dieses Grabens (14), wobei dieser Graben ein Steuergraben (14) ist; und- von dem Grabenisolator (142) des anderen der beiden Gräben (14), die den Mesateil (17) räumlich begrenzen, beabstandet.

公开(公告)号：DE102018120433A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018120433

申请日：2018-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEES HANS-JUERGEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement (1) weist einen Halbleiterkörper (10) auf, wobei der Halbleiterkörper (10) mit einem ersten Lastanschluss (11) und einem zweiten Lastanschluss (12) gekoppelt ist und dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen den Anschlüssen (11, 12) zu leiten, wobei das Leistungshalbleiterbauelement (1) ferner Folgendes umfasst: einen ersten Graben (14) und einen zweiten Graben (15), die sich entlang einer Vertikalrichtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstrecken, wobei beide Gräben (14, 15) jeweilige Grabenseitenwände (144, 154) umfassen, wobei die einander zugekehrten Grabenseitenwände (144, 154) ein Mesagebiet (105) des Halbleiterkörpers (10) entlang einer ersten lateralen Richtung (X) lateral begrenzen; eine jeweilige Grabenelektrode (141, 151); einen jeweiligen um einen Überstand (A) von mindestens 50 nm entgegen der Vertikalrichtung (Z) aus einer Fläche (100) des Halbleiterkörpers (10) vorragenden Grabenabschnitt (149, 159), wobei sich die Grabenelektroden (141, 151) in die vorragenden Grabenabschnitte (149, 159) erstrecken; ein Source-Gebiet (101) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Halbleiterkörpergebiet (102) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei beide Gebiete (101, 102) in dem Mesagebiet (105) neben einer Grabenseitenwand (144) des ersten Grabens (14) angeordnet sind, wobei der erste Graben (14) dazu konfiguriert ist, einen Inversionskanal in dem Körpergebiet (102) zu erzeugen, um einen Laststrom in dem Mesagebiet (105) zu steuern, wobei das Source-Gebiet (101) neben nur einer der beiden Grabenseitenwände (144) angeordnet ist und entlang der ersten lateralen Richtung (X) von der anderen der beiden Grabenseitenwände (154) räumlich verlagert ist.

公开(公告)号：DE102020122264A1

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102020122264

申请日：2020-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： QUEITSCH UTE ,  BABURSKE ROMAN ,  DIRNSTORFER INGO ,  THEES HANS-JUERGEN

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst: einen ersten Lastanschluss (11) an einer ersten Seite (110), einen zweiten Lastanschluss (12) und, mit dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) gekoppelt, einen Halbleiterkörper (10), der dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten; mehrere Gräben (14) an der ersten Seite, die sich entlang einer Vertikalrichtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstrecken. Jeder Graben (14) weist eine Grabenelektrode (141) auf, die durch einen Grabenisolator (142) von dem Halbleiterkörper (10) isoliert ist. Zwei der mehreren Gräben (14) sind lateral nebeneinander angeordnet und begrenzen räumlich einen Mesateil (17). Ein Halbleiter-Sourcegebiet (101) befindet sich in dem Mesateil (17). Ein Halbleiterbodygebiet (102) befindet sich in dem Mesateil (17). Ein Kontaktstopfen (111) erstreckt sich von der ersten Seite in den Mesateil (17). Der Kontaktstopfen (111) ist: sowohl in Kontakt mit dem Halbleiter-Sourcegebiet (101) als auch dem Halbleiterbodygebiet (102); in Kontakt mit dem Grabenisolator (142) von einem der beiden Gräben (14), die den Mesateil (17) räumlich begrenzen; und von dem Grabenisolator (142) des anderen der beiden Gräben (14), die den Mesateil (17) räumlich begrenzen, beabstandet.