公开(公告)号：DE102023126033A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102023126033

申请日：2023-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  TREEK VERA VAN

IPC: H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), die in einem einzelnen Chip umfasst: einen Halbleiterkörper (10), der konfiguriert ist, um einen Laststrom zwischen einem ersten Lastanschluss (11) an einer ersten Seite (110) des Halbleiterkörpers (10) und einem zweiten Lastanschluss (12) an einer zweiten Seite (120) des Halbleiterkörpers (10) zu leiten; ein Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps innerhalb des Halbleiterkörpers (10); Gräben (14, 16), die sich von der ersten Seite (110) zur zweiten Seite (120) erstrecken, wobei jeder Graben (14, 16) eine Grabenelektrode (141, 161) beinhaltet, die durch einen Grabenisolator (142, 162) vom Halbleiterkörper (10) getrennt ist; Mesen (15; 18), die seitlich durch die Gräben (14, 16) begrenzt sind, wobei die Mesen (15; 18) Mesen des ersten Typs (18) und Mesen des zweiten Typs (15) beinhalten; und Halbleiterstrukturen (151, 152, 153). Jede Halbleiterstruktur beinhaltet eine Reihenschaltung eines ersten Gebiets (151) des ersten Leitfähigkeitstyps, das mit dem Driftgebiet (100) gekoppelt oder durch dieses gebildet ist; eines zweiten Gebiets (152) eines zweiten Leitfähigkeitstyps; und eines dritten Gebiets (153) des ersten Leitfähigkeitstyps, das durch mindestens einen von einem ersten ohmschen Widerstand (1531; 1534) und einer Zenerdiode (1533) mit dem ersten Lastanschluss (11) gekoppelt ist. Jede Mesa des ersten Typs (18) ist zur Laststromleitung konfiguriert, elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (11) verbunden und frei von jeglichen der Halbleiterstrukturen (151, 152, 153). Die Halbleiterstrukturen (151, 152, 153) sind in den Mesen des zweiten Typs (15) angeordnet.

公开(公告)号：DE102020118404A1

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：DE102020118404

申请日：2020-07-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LASKA THOMAS ,  KOHLER-REDLICH PHILIPP ,  TREEK VERA VAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/328 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/861

Abstract: Vorgeschlagen wird eine vertikale Leistungs-Halbleitervorrichtung (100). Die vertikale Leistungs-Halbleitervorrichtung (100) weist einen Halbleiterkörper (102) auf, der ein Halbleitersubstrat (104) und eine Halbleiterschicht (106) auf dem Halbleitersubstrat (104) umfasst. Der Halbleiterkörper (102) weist eine erste Hauptoberfläche (1081) und eine entlang einer vertikalen Richtung (y) der ersten Hauptoberfläche (1081) entgegengesetzt der zweiten Hauptoberfläche (1082) auf. Die vertikale Leistungs-Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner ein Driftgebiet (110) im Halbleiterkörper (102). Ein erster Teil (1101) des Driftgebiets (110) ist im Halbleitersubstrat (104) angeordnet. Ein zweiter Teil (1102) des Driftgebiets (110) ist in der Halbleiterschicht (106) angeordnet. Die vertikale Leistungs-Halbleitervorrichtung (100) enthält überdies ein im Halbleitersubstrat (104) angeordnetes Feldstoppgebiet (112), wobei eine entlang der vertikalen Richtung (y) gemittelte Dotierungskonzentration des Feldstoppgebiets (112) größer ist als eine entlang der vertikalen Richtung (y) gemittelte Dotierungskonzentration des Driftgebiets (106).