公开(公告)号：DE102018214302B4

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102018214302

申请日：2018-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLACER CHRISTOPH ,  PINDL STEPHAN ,  WITTMANN SEBASTIAN ,  WEBER WERNER

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L7/00 ,  H01L43/14 ,  H04R19/04

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines graphenbasierten Sensors (1), wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:Bereitstellen eines Trägersubstrates (2);Ausbilden einer Trägerstruktur (3) an dem Trägersubstrat (2), derart, dass an einer Oberseite (4) der Trägerstruktur (3) eine oder mehrere Trennstrukturen (5) ausgebildet werden; undnasschemischer Transfer einer Graphenschicht (6) auf die Oberseite (4) der Trägerstruktur (3), welche die Trennstrukturen (5) aufweist;wobei die Trennstrukturen (5) und eine Reißfestigkeit der Graphenschicht (6) so aufeinander abgestimmt sind, dass die Graphenschicht (6) bei dem nasschemischen Transfer jeweils an den Trennstrukturen (5) einreißt;wobei die Trägerstruktur (3) so ausgebildet wird, dass sie eine Öffnung (12) aufweist, und wobei der nasschemische Transfer so durchgeführt wird, dass ein erster Abschnitt (13) der Graphenschicht (6) die Öffnung (12) abdeckt, und dass ein zweiter Abschnitt (14) der Graphenschicht (6) einen die Öffnung (12) umgebenden Bereich der Trägerstruktur (3) abdeckt;wobei der Sensor (1) als Hall-Sensor (1), als Mikrophon (1) oder als Drucksensor ausgebildet wird, wobei der erste Abschnitt der Graphenschicht (13) zum Wandeln einer zu detektierenden physikalischen Größe in ein elektrisches Signal ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102018214302A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018214302

申请日：2018-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLACER CHRISTOPH ,  PINDL STEPHAN ,  WITTMANN SEBASTIAN ,  WEBER WERNER

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L7/00 ,  H01L43/14 ,  H04R19/04

Abstract: Offenbart wird ein Verfahren zum Herstellen eines graphenbasierten Sensors, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:Bereitstellen eines Trägersubstrates;Ausbilden einer Trägerstruktur an dem Trägersubstrat, derart, dass an einer Oberseite der Trägerstruktur eine oder mehrere Trennstrukturen ausgebildet werden; undnasschemischer Transfer einer Graphenschicht auf die Oberseite der Trägerstruktur, welche die Trennstrukturen aufweist;wobei die Trennstrukturen und eine Reißfestigkeit der Graphenschicht so aufeinander abgestimmt sind, dass die Graphenschicht bei dem nasschemischen Transfer jeweils an den Trennstrukturen einreißt.