公开(公告)号：DE102018003680B4

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102018003680

申请日：2018-05-07

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOUSSIERE PIERRE

IPC: H01S5/343

Abstract: Laser mit einer Mehrfachquantentopfstruktur (MQW) (115) zum Betrieb bei hohen Temperaturen, umfassend:mindestens zwei Quantentöpfe aus druckbeanspruchten InGaAlAs-Schichten, die abwechselnd mit zugbeanspruchten InGaAlAs-Schichten gestapelt sind,wobei die mindestens zwei Quantentöpfe auf einer Seite durch eine n-dotierte Ummantelung aus InP und auf einer anderen Seite durch eine p-dotierte Ummantelung aus InP (119) umgeben sind, um einen doppelten Heteroübergang zu bilden;eine Begrenzungsschicht (111) aus gitterangepasstem InAlAs, die zwischen den mindestens zwei Quantentöpfen und der p-dotierten InP-Ummantelung (119) bereitgestellt ist, wobei die Begrenzungsschicht eine erste Oberfläche aufweist, die den mindestens zwei Quantentöpfen zugewandt oder benachbart davon ist, und eine zweite Oberfläche, die der p-dotierten InP-Ummantelung zugewandt oder benachbart davon ist; undeine zusätzliche Elektronenrückhalteschicht (105) aus -0,5% zugbeanspruchtem InAlAs zur Vergrößerung der Leitungsbanddiskontinuität mit einer Dicke, die kleiner als die der Begrenzungsschicht (111) ist, und die entweder einer Oberfläche der Begrenzungsschicht (111) zugewandt oder benachbart davon oder zwischen den zwei Oberflächen der Begrenzungsschicht (111) bereitgestellt ist, wobei die zusätzliche Elektronenrückhalteschicht (105) aus dem -0,5% zugbeanspruchten InAlAs eine Dicke von 8,0 bis 20,0 nm aufweist.

公开(公告)号：DE112017006640T5

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE112017006640

申请日：2017-11-28

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOUSSIERE PIERRE ,  DOYLEND JONATHAN K

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/30

Abstract: Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können sich auf einen Hybrid-Silizium-Laser mit verteilter Rückkopplung (DFB) beziehen, wobei sich Licht durch den DFB-Laser entlang einer Länge des DFB-Lasers ausbreitet. Der DFB-Laser kann eine Mesa mit einem Stromkanal, der sich von der ersten Seite der Mesa zu der zweiten Seite der Mesa erstreckt, beinhalten. An einem ersten Ort entlang der Länge des DFB-Lasers kann der Stromkanal eine erste Breite haben und/oder kann die Mesa eine zweite Breite haben. An einem zweiten Ort entlang der Länge des DFB-Lasers kann der Stromkanal eine dritte Breite haben und/oder kann die Mesa eine vierte Breite in einer Richtung senkrecht zu der Länge des DFB-Lasers gemessen haben. Es können andere Ausführungsformen beschrieben und/oder beansprucht werden.

公开(公告)号：DE102018003680A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102018003680

申请日：2018-05-07

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOUSSIERE PIERRE

IPC: H01S5/343

Abstract: Ausführungsformen können sich auf einen Laser mit Mehrfachquantentopf (MQW) für den Betrieb bei hohen Temperaturen beziehen, umfassend mindestens einen Quantentopf, der aus druckbeanspruchten InGaAlAs-Schichten hergestellt ist, die abwechselnd mit zugbeanspruchten InGaAlAs-Schichten gestapelt sind, wobei der mindestens eine Quantentopf auf einer Seite von einer n-dotierten InP-Ummantelung und auf der anderen Seite von einer p-dotierten InP-Ummantelung umgeben ist, um einen doppelten Heteroübergang zu bilden. Eine Begrenzungsschicht aus gitterangepasstem InAlAs kann zwischen dem Quantentopf und der p-dotierten Ummantelung bereitgestellt sein, die eine erste Oberfläche, die dem Quantentopf zugewandt oder benachbart davon ist, und eine zweite Oberfläche, die der p-dotierten Ummantelung zugewandt oder benachbart davon ist, aufweist. Eine zusätzliche Elektronenrückhalteschicht aus zugbeanspruchtem InAlAs kann einer Oberfläche der Begrenzungsschicht zugewandt oder benachbart dazu bereitgestellt sein und eine Dicke aufweisen, die kleiner als die der Begrenzungsschicht ist. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.