公开(公告)号：US20030219683A1

公开(公告)日：2003-11-27

申请号：US10154280

申请日：2002-05-23

Applicant: Institute of Microelectronics.

Inventor： Ranganathan Nagarajan ,  Shajan Mathew ,  Lakshmi Kanta Bera

IPC: G03F007/16 ,  G03F007/20 ,  G03F007/40 ,  G03F007/36 ,  G21K005/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

Abstract: A process is described for trimming photoresist patterns during the fabrication of integrated circuits for semiconductor devices and MEMS devices. A combination of a low temperature (

Abstract translation: 描述了在半导体器件和MEMS器件的集成电路的制造期间修整光致抗蚀剂图案的过程。 使用低温（<20℃），高密度氧和氩等离子体和强烈的紫外线辐射的组合来同时修整和硬化ICP腔中的光致抗蚀剂线宽。 作为替代，在ICP等离子体蚀刻之前，可以在泛光曝光工具中执行UV硬化步骤。 另一个选择是首先进行氩等离子体处理以使抗蚀剂硬化，然后在第二步骤中施加氧等离子体来修整光致抗蚀剂。 以可控的方式降低垂直和水平蚀刻速率，这对于在小于100nm的MOS晶体管中产生栅极长度是有用的。 该方法还可以用于可控地增加光致抗蚀剂特征中的空间宽度。