公开(公告)号：CN102149635B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200980132652.8

申请日：2009-08-19

Applicant: JNC株式会社 ,  JX日鉱日石金属株式会社 ,  东邦钛株式会社

Inventor： 林田智 ,  濑本治道

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/10778 ,  C01B33/10784

Abstract: 本发明揭示一种可解决借由蒸馏或吸附来分离去除有机氯硅烷时所存在的问题的四氯化硅的精制方法。一种四氯化硅的精制方法的特征包含：(1)使包含四氯化硅气体及含氧气体的混合气体，与将温度调整为200～450℃的含有选自由活性碳及担载金属的活性碳所组成的族群中的至少一种的触媒层相接触的步骤；及(2)冷却上述接触后的混合气体，并分离回收液体四氯化硅的步骤。

公开(公告)号：CN101311346B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810085083.3

申请日：2008-03-17

Applicant: JNC株式会社

Inventor： 林田智

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/14 ,  C01B33/03

CPC classification number: C01B33/033

Abstract: 本发明提供一种以相对低的成本制造多晶硅的方法，其中通过减少在通过还原方法由氯化硅制造多晶硅中所产生的废料的量和增加重复使用的助剂原料的量，来减少所产生的废料的量。在使用氯化硅气体与还原剂气体的气相反应制造多晶硅中，将氯气吹入从反应装置排出的废气中以引发反应，使所述废气中所含的未反应的还原剂和硅粒氯化，且接着将废气中所含的还原剂氯化物与其它杂质分离并回收。

公开(公告)号：CN101264889B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200810082298.X

申请日：2008-03-10

Applicant: JNC株式会社

Inventor： 本田终一 ,  田中亨 ,  林田智

IPC: C01B33/027

CPC classification number: C01B33/027 ,  C01G9/04 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明提供通过使用具有多个组分的气态原料的反应来制造固体产物的方法和制造设备，其中所制造的固体产物未被含由反应产生的副产物气体和未反应的气态原料的废气污染，可达成较高纯度，且可从反应器中连续取出制造的固体产物。本发明提供的制造方法和制造设备，所述方法包含使用安置在垂直方向上的反应器进行反应的步骤；从反应器的上部馈送具有多个组分的气态原料的步骤；在反应器的下部中形成由具有高密度的气体组成且从反应器的下部连续馈送的气体层的步骤；从所形成的密封气体层的上部中的某处排出含有由反应所产生的副产物气体和未反应的气态原料的废气的步骤；以及将固体产物接收在下部的密封气体层中的步骤。