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公开(公告)号：CN1974636B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200610160614.1
申请日：2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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公开(公告)号：CN101410955B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780011516.4
申请日：2007-03-27
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由下述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≦50)。
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公开(公告)号：CN101410955A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011516.4
申请日：2007-03-27
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由上述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≤50)。
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公开(公告)号：CN1974636A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610160614.1
申请日：2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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公开(公告)号：CN101933124A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103969.9
申请日：2009-01-16
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的化学机械研磨用水系分散体是包含(A)二氧化硅微粒和(B1)有机酸的化学机械研磨用水系分散体，其中前述(A)二氧化硅微粒具有下述化学性质。从通过ICP发光分析法或ICP质量分析法进行的元素分析和通过离子色谱分离法进行的铵离子定量分析测定的钠、钾和铵离子的含量满足：钠含量：5～500ppm，选自钾和铵离子的至少一种的含量：100～20000ppm的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100526015C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610057704.8
申请日：2006-02-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B29/00 , H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 一种化学机械研磨方法，其中，包含通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序来化学机械地研磨被研磨面的过程；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中，通过改变前述水系分散体(I)和前述水溶液(II)的混合比来改变研磨速度。
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公开(公告)号：CN101933124B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200980103969.9
申请日：2009-01-16
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/321 , H01L21/3105 , C01G1/02
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的化学机械研磨用水系分散体是包含(A)二氧化硅微粒和(B1)有机酸的化学机械研磨用水系分散体，其中前述(A)二氧化硅微粒具有下述化学性质。从通过ICP发光分析法或ICP质量分析法进行的元素分析和通过离子色谱分离法进行的铵离子定量分析测定的钠、钾和铵离子的含量满足：钠含量：5～500ppm，选自钾和铵离子的至少一种的含量：100～20000ppm的关系。
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公开(公告)号：CN101537599B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910127065.1
申请日：2006-02-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨方法，在采用镶嵌法制造半导体装置的工序中，通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序，化学机械地研磨埋设于配线用凹部的金属配线部以外的应除去的剩余金属配线材料，第一研磨工序和第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体混合物是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物，在第一研磨工序和第二研磨工序中，通过改变水系分散体(I)和水溶液(II)的混合比来改变研磨速度，第二研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度为第一研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度的10～80％。该方法可有效地除去剩余的配线材料，而且能够给予高品质被研磨面。
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公开(公告)号：CN101537599A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910127065.1
申请日：2006-02-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨方法，在采用镶嵌法制造半导体装置的工序中，通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序，化学机械地研磨埋设于配线用凹部的金属配线部以外的应除去的剩余金属配线材料，第一研磨工序和第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体混合物是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物，在第一研磨工序和第二研磨工序中，通过改变水系分散体(I)和水溶液(II)的混合比来改变研磨速度，第二研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度为第一研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度的10～80％。该方法可有效地除去剩余的配线材料，而且能够给予高品质被研磨面。
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公开(公告)号：CN101490814A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026430.9
申请日：2007-09-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有(A)重均分子量为500,000～2,000,000且在分子内具有杂环的第一水溶性高分子、(B)重均分子量为1,000～10,000且具有选自羧基及磺基中的一种的第二水溶性高分子或其盐、(C)氧化剂、以及(D)磨料，pH为7～12。
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