公开(公告)号：JP2016176104A

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：JP2015056753

申请日：2015-03-19

Applicant: JXエネルギー株式会社 ,  学校法人早稲田大学

Inventor： 野田 優 ,  青井 慈喜

IPC: C23C14/58 ,  C23C14/24 ,  C23C14/14

Abstract: 【課題】より低抵抗な自立した銅薄膜を効率よく製造することが可能な銅薄膜の製造方法の提供。 【解決手段】アルミニウム及び/又はシリコンと、酸素、窒素及び炭素からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素との化合物によって構成されたセラミック材料又は炭素からなる表面を有する基板表面上に、蒸着源の温度を1200℃以上とし、不活性ガスを流通して全圧を0.001〜10Paの範囲内にして2〜30μmの範囲内の膜厚を有する銅薄膜を形成する工程S1と、形成した銅薄膜を基板表面から薄膜のまま剥離する工程S2とを含む銅薄膜の製造方法。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够有效地制造具有较低电阻的自支撑铜薄膜的铜薄膜的制造方法。解决方案：铜薄膜的制造方法包括：步骤S1，形成 在由具有由铝和/或硅的化合物构成的陶瓷材料构成的表面的基板的表面上具有膜厚度为2-30μm的铜薄膜和选自由氧和/或硅组成的组中的至少一种元素 ，氮气和碳或碳，通过将气相沉积源的温度设定为1200℃以上，循环惰性气体为总压为0.001-10Pa; 以及从基板的表面剥离形成的薄膜状的铜薄膜的步骤S2。图1：