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公开(公告)号：CN102465215B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110342312.7
申请日：2011-10-28
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供可以实现钛铜的特性改善的新型铜合金、锻制铜、电子元件和连接器。该铜合金为含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.5质量％作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B、P中的1种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质的铜合金，其特征在于，轧制面的电解抛光后的表面的通过电子显微镜进行的组织观察中，粒径为0.5μm以上的第二相粒子的个数密度(X)为0.04～0.11个/μm2，粒径为0.5μm以上的第二相粒子沿着晶界析出的个数比率(Y)为45～80％。
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公开(公告)号：CN101541987B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880000652.8
申请日：2008-08-22
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , B21B2003/005 , C22F1/08 , H01B1/026
Abstract: 本发明提供一种强度、电导率及冲裁性优异的Cu-Ni-Si-Co系合金。本发明为一种电子材料用铜合金，含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.30～1.2质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在平行于轧制方向的剖面上进行观察时，对于粒径在0.1μm以上、1μm以下的第二相粒子的组成的差异及面积率，〔Ni+Co+Si〕量的中间值：ρ(质量％)为20(质量％)≤ρ≤60(质量％)，标准偏差：σ(Ni+Co+Si)为σ(Ni+Co+Si)≤30(质量％)，面积率：S(％)为1％≤S≤10％。
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公开(公告)号：CN101522927B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780037203.6
申请日：2007-10-02
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供适合用作端子、连接器、开关、继电器用途的材料的电子材料用铜合金，所述铜合金在强度、导电率及弯曲加工性的平衡方面优异。电子材料用铜合金，其特征在于，含有Co：1.00-2.50％质量、Si：0.20-0.70％质量，余量由Cu及不可避免的杂质构成，Co和Si的质量浓度比(Co/Si比)为3.5≤Co/Si≤5，导电率为55％IACS以上，优选60％IACS以上，优选下述铜合金：含有Cr：0.05-0.50％质量，作为不可避免的杂质的碳为50ppm以下，还含有0.001-0.300％质量的Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag中至少1种物质的铜合金。所述合金的制造方法，其中，在熔融铸造后进行热轧和冷轧，在最终冷轧前进行下述热处理：加热至700-1050℃后，以每秒10℃以上的速度冷却。
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公开(公告)号：CN102453815B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110342285.3
申请日：2011-10-28
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
IPC: C22F1/08
Abstract: 本发明提供具有优异的强度和弯曲加工性的钛铜、锻制铜、电子元件、连接器及其制造方法。铜合金，其含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.2质量％作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质，其中，测定轧制面的X射线衍射强度时，轧制面的X射线衍射强度I与(311)面及(200)面中的纯铜粉末的X射线衍射强度I0之比(I/I0)满足以下的关系式：{I/I0(311)}/{I/I0(200)}≤2.54，且轧制面的X射线衍射强度I与(220)面及(200)面中的纯铜粉末的X射线衍射强度I0之比(I/I0)满足以下的关系式：15≤{I/I0(220)}/{I/I0(200)}≤95。
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公开(公告)号：CN102639731A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080053288.9
申请日：2010-10-29
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供具有优异的强度和弯曲加工性的钛铜。还提供电子部件用铜合金，该电子部件用铜合金含有2.0-4.0质量%Ti，其余部分含有铜和不可避免的杂质，来自压延面的{220}晶面的X射线衍射强度峰的半值宽度β{220}与来自纯铜标准粉末的{220}晶面的X射线衍射强度峰的半值宽度β0{220}满足下式：3.0≤β{220}/β0{220}≤6.0，且在与压延方向平行的截面的组织观察中，平均晶体粒径以圆当量直径表示，为30μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105612274A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480042390.7
申请日：2014-08-29
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
IPC: C25D7/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C9/10 , C22C18/02 , C22C19/03 , C25D1/04 , H05K1/02 , H05K1/09 , H05K9/00
Abstract: 本发明提供一种热的吸收性及散热性良好的表面处理金属材。表面处理金属材其金属材的热传导率为32W/(m·K)以上，表面的根据JISZ8730的色差ΔL满足ΔL≦－40。
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公开(公告)号：CN102453814B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110342260.3
申请日：2011-10-28
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
IPC: C22F1/08
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有优异的强度和弯曲加工性的铜合金、锻制铜、电子元件以及连接器。铜合金为含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.5质量％的作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Mo、Nb、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质的铜合金，其中，使用扫描型透射电子显微镜对电子元件用铜合金的母相中的钛浓度进行观察的结果，铜合金的与轧制方向平行的截面的母相中的Ti浓度的振幅为Y(wt％)、上述电子元件用铜合金中的Ti浓度为X(wt％)时，满足0.83X-0.65＜Y＜0.83X+0.50的关系。
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公开(公告)号：CN102639731B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080053288.9
申请日：2010-10-29
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供具有优异的强度和弯曲加工性的钛铜。还提供电子部件用铜合金，该电子部件用铜合金含有2.0-4.0质量%Ti，其余部分含有铜和不可避免的杂质，来自压延面的{220}晶面的X射线衍射强度峰的半值宽度β{220}与来自纯铜标准粉末的{220}晶面的X射线衍射强度峰的半值宽度β0{220}满足下式：3.0≤β{220}/β0{220}≤6.0，且在与压延方向平行的截面的组织观察中，平均晶体粒径以圆当量直径表示，为30μm以下。
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公开(公告)号：CN102465215A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110342312.7
申请日：2011-10-28
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供可以实现钛铜的特性改善的新型铜合金、锻制铜、电子元件和连接器。该铜合金为含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.5质量％作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B、P中的1种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质的铜合金，其特征在于，轧制面的电解抛光后的表面的通过电子显微镜进行的组织观察中，粒径为0.5μm以上的第二相粒子的个数密度(X)为0.04～0.11个/μm2，粒径为0.5μm以上的第二相粒子沿着晶界析出的个数比率(Y)为45～80％。
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公开(公告)号：CN101983249A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200980111916.1
申请日：2009-03-30
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/00 , C22F1/08
CPC classification number: C22C9/06 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种通过在Cu-Ni-Co-Si系合金中使Cr添加效果更佳地发挥而使特性飞跃性提高，即高强度、高导电性的科森系合金。该电子材料用铜合金含有Ni：1.0～4.5质量％、Si：0.50～1.2质量％、Co：0.1～2.5质量％、Cr：0.0030～0.3质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成；Ni与Co的合计质量与Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为4≤[Ni+Co]/Si≤5，对于分散于材料中的大小为0.1μm～5μm的Cr-Si化合物，其分散粒子中的Cr与Si的原子浓度比为1～5；其分散密度大于1×104个/mm2、且为1×106个/mm2以下。
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