公开(公告)号：WO2010135707A3

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：PCT/US2010035858

申请日：2010-05-21

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP ,  CHACKO ANTONY

Inventor： CHACKO ANTONY

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G9/012 ,  H01G9/0425 ,  H01G9/15

Abstract: A capacitor with an anode, a dielectric on the anode and a cathode on the dielectric. A transition layer is on the cathode wherein the transition layer has a blocking layer. A plated layer is on the transition layer. The cathode is electrically connected to a cathode termination sition layer.

Abstract translation: 具有阳极的电容器，阳极上的电介质和电介质上的阴极。 过渡层在阴极上，其中过渡层具有阻挡层。 镀层位于过渡层上。 阴极电连接到阴极端接层。

公开(公告)号：WO2012088161A3

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/US2011066262

申请日：2011-12-20

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP ,  CHACKO ANTONY ,  HAHN RANDY

Inventor： CHACKO ANTONY ,  HAHN RANDY

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/012

CPC classification number: H01G9/0032 ,  H01G2/065 ,  H01G9/012 ,  H01G9/0425 ,  H01G9/15

Abstract: A capacitor with an anode, a dielectric on the anode and a cathode on the dielectric. A blocking layer is on the cathode. A metal filled layer is on said blocking layer and a plated layer is on the metal filled layer.

Abstract translation: 具有阳极的电容器，阳极上的电介质和电介质上的阴极。 阻挡层在阴极上。 金属填充层位于所述阻挡层上，镀层位于金属填充层上。

公开(公告)号：DE112014000883T5

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：DE112014000883

申请日：2014-02-19

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP

Inventor： HAHN RANDOLPH ,  POLTORAK JEFFREY ,  CHACKO ANTONY ,  KINARD JOHN T ,  SUMMEY BRANDON ,  LESSNER PHILIP M

IPC: H01G9/012

Abstract: Ein verbesserter Kondensator wird bereitgestellt, wobei der verbesserte Kondensator einen verbesserten ESR aufweist. Der Kondensator weist eine genutete Anode und einen Anodendraht auf, der sich von der genuteten Anode erstreckt. Ein Dielektrikum ist auf der genuteten Anode. Eine konforme Kathode ist auf dem Dielektrikum und eine überzogene Metallschicht ist auf der Kohlenstoffschicht.

公开(公告)号：WO2009102800A2

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：PCT/US2009033815

申请日：2009-02-11

Applicant: KEMET ELECTRONICS CORP ,  CHACKO ANTONY

Inventor： CHACKO ANTONY

IPC: H01G9/155 ,  H01G4/232 ,  H01G9/15

CPC classification number: H01G9/012 ,  H01G2/065 ,  H01G9/15 ,  Y10T29/417

Abstract: A method of forming a capacitor includes the steps of: forming an anode with an anode wire extending there from; forming a dielectric on the anode; forming a cathode layer on the dielectric; providing a substrate comprising at least one via and at least two connectors; inserting the anode wire into a first via; forming an electrical connection between the anode wire and a first connector of the connectors; and forming an electrical connection between the cathode layer and a second connector.

Abstract translation: 一种形成电容器的方法包括以下步骤：用从其延伸的阳极线形成阳极; 在阳极上形成电介质; 在电介质上形成阴极层; 提供包括至少一个通孔和至少两个连接器的基板; 将阳极线插入第一通孔; 在阳极线和连接器的第一连接器之间形成电连接; 以及在阴极层和第二连接器之间形成电连接。