公开(公告)号：WO03001297A3

公开(公告)日：2003-03-20

申请号：PCT/US0220876

申请日：2002-06-26

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： MIEHER WALTER DEAN ,  DZIURA THADDEUS GERARD ,  LEVY ADY ,  MACK CHRIS

IPC: G03F7/20 ,  G01B11/24 ,  G02B7/04 ,  G03B27/34 ,  G03B27/52

CPC classification number: G03F7/70491 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641

Abstract: The invention relates to a method for determining process parameter settings of a photolithographic system. The method includes correlating the values of a first set of one or more shape parametres (12) with the values of a first set of one or more process parameters. The method also includes determining the values of a second set of one or more shape parameters associated with one or more structures (14). The method further includes determining the values of a second set of one or more process parameters associated with forming the one or more structures by comparing the second set of one or more shape parameters with the correlated dependencies (16).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于确定光刻系统的过程参数设置的方法。 该方法包括将第一组一个或多个形状参数（12）的值与第一组一个或多个工艺参数的值相关。 该方法还包括确定与一个或多个结构（14）相关联的第二组一个或多个形状参数的值。 该方法还包括通过将第二组一个或多个形状参数与相关依赖性（16）进行比较来确定与形成一个或多个结构相关联的第二组一个或多个工艺参数的值。