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公开(公告)号：CN106409928A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610808652.7
申请日：2016-07-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02008 , H01L31/0203 , H01L31/022441 , H01L31/0516 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种太阳能电池，包括半导体基板，导电区域以及电极，导电区域包括被布置在半导体基板一个表面上的第一导电区域和第二导电区域，电极包括连接至第一导电区域的第一电极和连接至第二导电区域的第二电极。电极包括被布置在半导体基板或导电区域上的粘结层，被布置在粘结层上并包括金属作为主成分的电极层，以及被布置在电极层上并包括与电极层的金属不同的金属作为主成分的阻挡层。电极层的厚度大于粘结层与阻挡层各自的厚度，并且阻挡层的熔点高于电极层的熔点。
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公开(公告)号：CN103325860A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310086279.5
申请日：2013-03-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。
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公开(公告)号：CN106409928B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610808652.7
申请日：2016-07-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 公开了一种太阳能电池，包括半导体基板，导电区域以及电极，导电区域包括被布置在半导体基板一个表面上的第一导电区域和第二导电区域，电极包括连接至第一导电区域的第一电极和连接至第二导电区域的第二电极。电极包括被布置在半导体基板或导电区域上的粘结层，被布置在粘结层上并包括金属作为主成分的电极层，以及被布置在电极层上并包括与电极层的金属不同的金属作为主成分的阻挡层。电极层的厚度大于粘结层与阻挡层各自的厚度，并且阻挡层的熔点高于电极层的熔点。
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公开(公告)号：CN110299418A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910553250.0
申请日：2015-01-29
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L21/268
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，包括：半导体基板；位于所述半导体基板上的至少一个导电型区域；位于所述至少一个导电型区域上的保护层；以及电极，该电极被布置在所述保护层上并且电连接至所述导电型区域。
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公开(公告)号：CN104934486B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510116774.5
申请日：2015-03-17
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开的是一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；导电型区域，该导电型区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电型区域和第二导电型区域；电极，该电极包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极连接至所述第一导电型区域并且所述第二电极连接至所述第二导电型区域；以及钝化层，该钝化层形成在所述导电型区域上。所述钝化层包括氮化硅和碳化硅中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105322042B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510445897.3
申请日：2015-07-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板掺杂第一导电类型的杂质；正面场区域，该正面场区域位于所述半导体基板的正面并且以高于所述半导体基板的浓度的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质；隧穿层，该隧穿层位于所述半导体基板的背面上并且由电介质材料形成；发射极区域，该发射极区域位于所述隧穿层的背面的第一部分并且掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；以及背面场区域，该背面场区域位于所述隧穿层的所述背面的第二部分并且以高于所述半导体基板的浓度的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN105322042A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510445897.3
申请日：2015-07-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/0682 , H01L31/03529
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板掺杂第一导电类型的杂质；正面场区域，该正面场区域位于所述半导体基板的正面并且以高于所述半导体基板的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质；隧穿层，该隧穿层位于所述半导体基板的背面上并且由电介质材料形成；发射极区域，该发射极区域位于所述隧穿层的背面的第一部分并且掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；以及背面场区域，该背面场区域位于所述隧穿层的所述背面的第二部分并且以高于所述半导体基板的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN103943710A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410025785.8
申请日：2014-01-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/065 , H01L31/035272 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/1824 , Y02E10/547
Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的杂质；发射区，其设置在所述基板的前表面，并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；后钝化层，其设置的所述基板的后表面上，并且具有开口；后表面场区，其包含所述第一导电类型的杂质；第一电极，其连接到所述发射区；以及第二电极，其连接到所述后表面场区。所述后表面场区包括设置在所述后钝化层上第一后表面场区和设置在所述基板的通过所述后钝化层的开口所露出的后表面的第二后表面场区。
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公开(公告)号：CN102456755A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110391311.1
申请日：2011-10-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/02168 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN119365815A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202280096612.8
申请日：2022-09-22
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/13357 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了显示设备。本发明的显示设备可以包括：显示面板；框架，结合于所述显示面板；基板，位于所述显示面板和所述框架之间，并结合于所述框架；光源，安装于所述基板；以及反射片，位于所述基板，包括供所述光源通过的孔；所述基板可以包括：第一基板，长长地延伸；以及第二基板，与所述第一基板电连接；所述第二基板可以包括：第一板，沿与所述第一基板的长度方向交叉的方向延伸；第二板，沿所述第一板的长度方向延伸，在所述第一基板的长度方向上与所述第一板隔开；以及第三板，连接所述第一板和所述第二板，与所述第一基板电连接。
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