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    Dünnschicht-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
    3.
    发明专利
    Dünnschicht-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011109847A1

    公开(公告)日：2012-06-21

    申请号：DE102011109847

    申请日：2011-08-09

    Applicant: LG ELECTRONICS INC

    Inventor： KIM SOOHYUN ,  LEE BYUNGKEE ,  KIM WOOYOUNG ,  AHN SEHWON ,  LEE HONGCHEOL

    IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

    Abstract: Eine Dünnschicht-Solarzelle und ein Verfahren zu deren Herstellung werden diskutiert. Die Dünnschicht-Solarzelle umfasst ein Substrat, eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die auf dem Substrat positioniert sind, sowie eine zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode positionierte erste photoelektrische Wandlereinheit. Die erste photoelektrische Wandlereinheit umfasst eine intrinsische Schicht zur Lichtabsorption, die mikrokristallines Silizium-Germanium enthält, eine dotierte p-Schicht und eine dotierte n-Schicht, die jeweils auf bzw. unter der intrinsischen Schicht positioniert sind, sowie eine kein Germanium enthaltende Saatschicht, die zwischen der dotierten p-Schicht und der intrinsischen Schicht positioniert ist.

    PLASMA DEPOSITION OF A THIN FILM
    5.
    发明申请
    PLASMA DEPOSITION OF A THIN FILM 审中-公开
    等离子体沉积薄膜

    公开(公告)号：WO2010151057A2

    公开(公告)日：2010-12-29

    申请号：PCT/KR2010004095

    申请日：2010-06-24

    Applicant: LG ELECTRONICS INC ,  MOON SEYOUN ,  KIM WOOYOUNG ,  AHN SEHWON ,  YOU DONGJOO

    Inventor： MOON SEYOUN ,  KIM WOOYOUNG ,  AHN SEHWON ,  YOU DONGJOO

    IPC: C23C16/50 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/32146 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

    Abstract: A plasma deposition apparatus and a method of manufacturing a thin film using the same are disclosed. The plasma deposition apparatus includes a reaction chamber inside which a first electrode and a second electrode are installed, a first power supply unit applying a first pulsed RF signal to one of the first and second electrodes, and a second power supply unit applying a second pulsed RF signal to one of the first and second electrodes. The first pulsed RF signal and the second pulsed RF signal are performed based on a predetermined deposition variable.

    Abstract translation: 公开了一种等离子体沉积设备及其制造方法。 等离子体沉积设备包括反应室，其内安装有第一电极和第二电极;第一电源单元，将第一脉冲RF信号施加到第一和第二电极之一;以及第二电源单元，其施加第二脉冲 RF信号到第一和第二电极之一。 基于预定的沉积变量执行第一脉冲RF信号和第二脉冲RF信号。

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