公开(公告)号：CN1680992A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510063061.3

申请日：2005-04-05

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 吴锦美 ,  黄洸植

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/104

Abstract: 本发明涉及一种具有驱动电路的液晶显示器件及其制造方法。在该液晶显示器件中，底栅结构的多晶硅薄膜晶体管被用作开关元件并且具有透射区域、半透射区域和遮挡区域的掩模被使用从而可以通过六轮掩模工序来制造具有单片驱动电路的液晶显示器件的阵列基板。从而改善了生产时间、生产成本和产量。而且，由于栅极包括薄的单层透明导电材料，防止了由于栅极增加的台阶所导致的退化并改善了多晶硅层的结晶度。

公开(公告)号：CN1619392A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410088647.0

申请日：2004-11-10

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 梁明秀 ,  吴锦美

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02F1/1368

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器件，其具有在像素部分中的开关元件和驱动部分中的CMOS元件，该液晶显示器件包括：基板；基板上的栅极；栅极上的栅绝缘层；栅绝缘层上的多晶硅层，该多晶硅层具有在对应栅极的中心部分中的有源区和在有源区边缘部分的欧姆接触区；层间绝缘层，具有用于在边缘部分接触多晶硅层的接触孔组；和在层间绝缘层上相互隔开的源极和漏极，该源极和漏极经接触孔组接触多晶硅层。

公开(公告)号：CN101071816A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200610167258.6

申请日：2006-12-12

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 吴锦美

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明公开了一种多晶硅TFT阵列基板及其制造方法，其能够在应用衍射曝光使半导体层和栅线层共同图案化之前，通过选择性地结晶化包括半导体层的沟道层的预定区域，确保在彼此相邻的子像素之间不发生信号失真。尤其，根据本发明多晶硅薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：形成在基板上的栅线和栅极；半导体层，其以与栅线和栅极相同的图案形成在栅线和栅极的下方并且除了栅线下方的预定区域之外被结晶成多晶硅；从半导体层延伸并且在栅极的右/左侧分别形成的源/漏极区域，杂质离子注入所述源/漏极区域中；与栅线和栅极电绝缘并且垂直于栅线的数据线，以及在栅极的上部与源/漏极区域相接触的源/漏极；以及与漏极相接触的像素电极。

公开(公告)号：CN1854872A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510125794.5

申请日：2005-12-01

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 吴锦美

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 液晶显示设备中薄膜晶体管的制造方法。提供了一种采用六掩模工艺来制造LCD设备的薄膜晶体管的方法。在不同区域中，以第一和第二杂质对形成在基板上的半导体层的一些部分进行掺杂。淀积导电层，并通过采用衍射图案掩模进行衍射曝光来对导电层和半导体层一起进行构图，以限定源区、漏区和有源区。进行灰化，并除去部分导电层，以形成所述源极、漏极和沟道。在基板上形成栅绝缘层，并在栅绝缘层上形成栅极。在基板上形成钝化膜，并刻蚀出露出一个漏极的像素接触孔。然后淀积像素电极，使得像素电极通过像素接触孔与漏极连接。