公开(公告)号：CN1794077A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510093771.0

申请日：2005-08-30

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 安炳喆 ,  林周洙 ,  朴丙镐

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  Y10S438/951

Abstract: 本发明公开了一种用于简化工序的薄膜晶体管基板及其制造方法。在根据本发明的液晶显示器件中，栅线设置在基板上。数据线与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜以限定像素区。薄膜晶体管包括连接到栅线的栅极、连接到数据线的源极、与源极相对的漏极以及用于限定源极和漏极之间沟道的半导体层。像素电极连接到漏极并且设置在所述像素区。在这里，所述数据线、所述源极和所述漏极具有在其上构建有源/漏金属图案和透明导电图案的双层结构。通过延伸漏极的透明导电图案形成所述像素电极。保护膜与透明导电图案接界并设置在其剩余区域。

公开(公告)号：CN1888965A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200510136579.5

申请日：2005-12-30

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 朴丙镐

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明公开了一种透射反射型LCD，其包括：限定有具有反射区和透射区的像素区的基板；在基板上彼此交叉以限定像素区的栅线和数据线；形成在栅线和数据线的交叉处的TFT(薄膜晶体管)；形成在像素区中并连接到TFT的漏极的透明电极；形成在栅线上的存储电极；形成在反射区中的反射电极；以及形成在反射区中具有突起图案的绝缘层，其中反射区中的绝缘层位于透明电极和反射电极之间。

公开(公告)号：CN1991553A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610144909.X

申请日：2006-11-22

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 南喆 ,  朴丙镐

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/40

Abstract: 本发明公开了一种透射反射型LCD器件，其可在具有多畴的VA型透射反射型LCD器件中有选择地使用反射模式和透射模式。该透射反射型LCD器件通过使透射部分的区域大于反射部分的区域而增大孔径比，通过在VA型透射反射型LCD器件中形成多畴并且在各畴之间形成存储电容来确保总的存储电容量、改善图像质量特性并且改善视角特性。

公开(公告)号：CN1794078A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510093772.5

申请日：2005-08-30

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 安炳喆 ,  林周洙 ,  朴丙镐

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/134363 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明公开了一种用于简化工艺的水平电场施加型薄膜晶体管基板及其制造方法。在根据本发明的液晶显示器件中包括，基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线，所述栅线和数据线之间具有栅绝缘膜；薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极和半导体层，以在源极和漏极之间限定沟道；基板上的公共线；像素区中的公共电极；以及像素电极，在像素区中与公共电极形成水平电场；其中，栅线、源极和漏极具有不透明导电图案和透明导电图案，像素电极通过延伸出漏极的透明导电图案形成，并且保护膜与透明导电图案相接并位于透明导电图案的剩余区域中。