公开(公告)号：CN1779985A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510117002.X

申请日：2005-10-28

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李炅彦

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5281 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L2227/323

Abstract: 有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法。公开了一种有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法。在一实施例中，有源矩阵型有机发光二极管器件包括构造为发光的电致发光元件、构造为控制电致发光元件的驱动薄膜晶体管、耦合至驱动薄膜晶体管的存储电容器，以及构造为对所述有源矩阵型有机发光二极管、驱动薄膜晶体管和存储电容器中的至少一个进行绝缘的至少一个绝缘层，该至少一个绝缘层包括形成在所述至少一个绝缘层表面上的多个凹部。

公开(公告)号：CN101206325A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710198798.5

申请日：2007-12-19

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李炅彦 ,  百明基 ,  黄汉郁

IPC: G02F1/133 ,  H01L27/144 ,  H01L31/113 ,  H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种具有光敏元件的液晶显示器件及其制造方法，其中液晶显示器件，包括液晶面板，包括在其间具有液晶层而彼此粘接的第一和第二基板、和形成在第二基板上的用于传感来自环境的外部光的光敏元件，其中光敏元件包括半导体层，其形成在第二基板上并设置有n+型离子植入区域、非离子植入区域和轻掺杂区域；绝缘膜，形成在第二基板上，用于覆盖半导体层；钝化膜，形成在第二基板上，用于覆盖绝缘膜；第一接触孔，其穿过绝缘膜和钝化膜，从而暴露半导体层的源极和漏极区域；源极和漏极，通过第一接触孔与半导体层的源极和漏极区域连接；离子植入阻止膜，其形成在绝缘膜上并与非离子植入区域交迭；和第二接触孔，其穿过非离子植入区域之上的钝化膜和离子植入阻止膜，从而给非离子植入区域提供外部光。

公开(公告)号：CN1892783A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610083665.9

申请日：2006-06-02

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李炅彦 ,  柳俊锡

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0297 ,  G11C19/00 ,  G11C19/28

Abstract: 本发明涉及一种具有多个级的移位寄存器，其中每个级包括：接收输入信号的输入电路部分；通过输入电路部分的非反相输出和反相输出上的异或运行生成触发信号的异或电路；响应于触发信号将时钟信号和反馈信号中的一个从输出端提供到下一级的输出端和输入端的输出电路部分。