公开(公告)号：CN101211984A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710300109.7

申请日：2007-12-17

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 许宰硕 ,  田雄基 ,  金柄杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/3124 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0525

Abstract: 本发明披露了液晶显示装置用薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；由具有官能团、金属氧化物、硅和氧的键结构的高介电常数绝缘体形成的栅极绝缘膜；和形成在所述栅极绝缘膜上的源极和漏极。

公开(公告)号：CN101097868A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610160656.5

申请日：2006-11-29

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 蔡基成 ,  许宰硕 ,  田雄基

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了一种用于在基板上制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：形成栅极；形成与栅极绝缘并与栅极部分交叠的半导体层；在栅极和半导体层之间依次形成第一和第二栅绝缘层，其中所述第一栅绝缘层由不同于第二栅绝缘层的材料形成并且第一和第二栅绝缘层其中至少之一包括溶胶化合物；以及在半导体层的两侧处形成源极和漏极。

公开(公告)号：CN101097924A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610166797.8

申请日：2006-11-30

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李宝铉 ,  许宰硕 ,  田雄基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其中在不使用任何光刻胶的情况下对钝化层直接进行曝光和构图工艺，从而简化了制造工艺并确保减少了制备成本。具体地说，该方法包括：在基板上形成选通线和栅极；形成半导体层，该半导体层与所述栅极绝缘并与所述栅极的一部分交叠；分别在所述半导体层的两侧上形成源极和漏极，同时形成与所述选通线交叉的数据线；使用具有感光基团X的金属醇盐和具有感光基团Y的硅醇盐的溶胶化合物，在包括所述源极和所述漏极的所述基板的整个上表面上形成钝化层；对所述钝化层进行曝光和显影，以形成暴露出所述漏极的接触孔；以及形成要通过所述接触孔与所述漏极接触的像素电极。

公开(公告)号：CN1983606A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610079094.1

申请日：2006-04-29

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 蔡基成 ,  许宰硕

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板。该薄膜晶体管阵列基板包括基板；位于基板上由栅极以及与栅极相连的栅线构成的栅图案；由有机材料形成且用于覆盖所述栅图案的主栅绝缘膜；与栅极重叠使得主栅绝缘膜位于半导体图案和栅线之间的半导体图案；半导体图案上的源/漏图案。该源/漏图案包括与栅线交叉其间具有主栅绝缘膜的数据线、源极和漏极。这里源极、漏极和半导体图案限定了设置在栅线和数据线交叉部分的薄膜晶体管。该薄膜晶体管阵列基板还包括限定在漏极部分的接触孔的保护膜；通过所述接触孔与漏极接触的像素电极；以及位于栅图案和主栅绝缘膜之间与所述栅图案重叠的子栅绝缘图案，所述子栅绝缘图案包括铁电材料。

公开(公告)号：CN101097869A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610166796.3

申请日：2006-11-30

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 蔡基成 ,  许宰硕 ,  田雄基

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、其制造方法以及显示装置。一种基板上的TFT的制造方法包括：形成栅极；形成与栅极绝缘并且局部与栅极交叠的半导体层；在栅极和半导体层之间形成栅绝缘层，所述栅绝缘层包括溶胶凝胶混合物；以及在半导体层的两侧形成源极和漏极。

公开(公告)号：CN101051158A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200610144862.7

申请日：2006-11-23

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 许宰硕 ,  田雄基 ,  蔡基成

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/136227 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1362 ,  G02F2202/36

Abstract: 一种用于液晶显示器件的阵列基板包括：基板；在该基板上的栅极；在该栅极上的栅绝缘层，该栅绝缘层包括无机材料的纳米颗粒和有机材料的有机基体，该有机基体包围该纳米颗粒；在栅极上面的该栅绝缘层上的半导体层；在该半导体层上的源极和漏极；在该源极和漏极上的钝化层；以及在该钝化层上的像素电极，该像素电极与该漏极接触。