液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1967360A

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:CN200610094350.4

    申请日:2006-06-30

    Inventor: 吴载映 金秀浦

    CPC classification number: G02F1/1368 G02F2001/136231 G02F2001/136295

    Abstract: 公开了一种LCD器件及其制造方法,通过使用光刻胶的衍射曝光和起剥的少掩模技术来形成TFT阵列基板,从而减少制造时间和成本,所述LCD器件包括:形成在基板上的选通线、栅极和选通焊盘电极;垂直于所述选通线形成的数据线、形成在所述栅极上方的源极和漏极、以及形成在所述数据线的端部的数据焊盘电极;形成在所述数据线、所述源极和漏极以及所述数据焊盘电极下方的栅极绝缘层和半导体层;形成在所述源极与所述漏极之间的半导体层的沟道区中的钝化层;以及与所述漏极相接触的像素电极。

    用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101021656A

    公开(公告)日:2007-08-22

    申请号:CN200610160660.1

    申请日:2006-11-29

    Inventor: 吴载映 金秀浦

    CPC classification number: H01L27/124 H01L27/1288

    Abstract: 本发明提供一种利用减少掩模工序的数量,能使生产率最大的液晶显示(LCD)器件及其制造方法。因为掩模工序的数量减少,LCD器件可以通过简单的制造工艺制造。另外,可以防止在构图以用于形成漏极和像素电极的透明电极材料时,根据湿蚀刻方向发生的透明电极材料翘起现象。而且,本发明可被用于具有简单制造工艺的共平面开关(IPS)模式LCD器件,其中公共电极和像素电极一起形成在阵列基板上。

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