公开(公告)号：CN100365932C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200380109340.8

申请日：2003-12-17

Applicant: M/A-COM公司

Inventor： 马克·F·凯尔库斯 ,  克里斯托弗·N·布林德尔

IPC: H03K17/00 ,  H03K17/693

Abstract: 本发明提供了多频带开关，其具有带有多个发送端口(Tx1、Tx2)的发送器开关部分和带有多个接收器端口(Rx1-Rx4)的接收器开关部分。每个都具有关联的开关拓扑以将一个端口切换到天线端口。开关拓扑可以使用串行连接的、诸如绝缘栅型n沟道FET的多个FET，其中发送器端口开关元件可以具有比接收器端口开关元件大的开关晶体管。发送器和接收器开关元件的主要信号通路晶体管是交指型FET，其中在晶体管区域内源极区域指状物和漏极区域指状物交错。可以由其上是栅极金属喷镀的、蜿蜒的沟道区域将这些交指状源极和漏极区域彼此分开。

公开(公告)号：CN100405739C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200380109224.6

申请日：2003-12-16

Applicant: M/A-COM公司

Inventor： 克里斯托弗·N·布林德尔

IPC: H03K17/687

Abstract: 一种开关，包括其间连接了串联FET的至少两个串联的信号端口、和具有FET的分路路径，由此将输入偏置施加到串联FET的栅极和分路FET的漏极。在一个实施例中，该开关包括：控制信号输入；跨过第一端口和第二端口串联连接的FET，该串联FET具有耦接到控制信号输入的栅极；以及由FET提供的分路路径，该分路FET具有耦接到控制信号输入和串联FET栅极的漏极，由此将单个控制信号经由控制信号输入施加到串联FET和分路FET二者，以便导通串联FET并同时关断分路FET，以及相反，以便关断串联FET并同时导通分路FET。

公开(公告)号：CN1742432A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200380109224.6

申请日：2003-12-16

Applicant: M/A-COM公司

Inventor： 克里斯托弗·N·布林德尔

IPC: H03K17/687

Abstract: 一种开关，包括其间连接了串联FET的至少两个串联的信号端口、和具有FET的分路路径，由此将输入偏置施加到串联FET的栅极和分路FET的漏极。在一个实施例中，该开关包括：控制信号输入；跨过第一端口和第二端口串联连接的FET，该串联FET具有耦接到控制信号输入的栅极；以及由FET提供的分路路径，该分路FET具有耦接到控制信号输入和串联FET栅极的漏极，由此将单个控制信号经由控制信号输入施加到串联FET和分路FET二者，以便导通串联FET并同时关断分路FET，以及相反，以便关断串联FET并同时导通分路FET。

公开(公告)号：CN1745517A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200380109340.8

申请日：2003-12-17

Applicant: M/A-COM公司

Inventor： 马克·F·凯尔库斯 ,  克里斯托弗·N·布林德尔

IPC: H03K17/00 ,  H03K17/693

Abstract: 本发明提供了多频带开关，其具有带有多个发送端口(Tx1、Tx2)的发送器开关部分和带有多个接收器端口(Rx1－Rx4)的接收器开关部分。每个都具有关联的开关拓扑以将一个端口切换到天线端口。开关拓扑可以使用串行连接的、诸如绝缘栅型n沟道FET的多个FET，其中发送器端口开关元件可以具有比接收器端口开关元件大的开关晶体管。发送器和接收器开关元件的主要信号通路晶体管是交指型FET，其中在晶体管区域内源极区域指状物和漏极区域指状物交错。可以由其上是栅极金属喷镀的、蜿蜒的沟道区域将这些交指状源极和漏极区域彼此分开。