公开(公告)号：CN100361313C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN03133016.9

申请日：2003-04-22

Applicant: M/A-COM公司

Inventor： 戴恩·C·米勒 ,  因德·J·巴尔 ,  爱德华·L·格里芬

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/812

Abstract: 一种平面型MESFET晶体管，包括多个FET元件。每个FET元件包括一掺杂的平面沟道、以及与该沟道端部连接的源极和漏极。一栅极导体位于源极和漏极之间的位置处的部分沟道的上方，并从漏极延伸一第一预定距离。一场电极与栅极导体相连接，并向漏极延伸一第二预定距离，该场电极通过一介电材料与除了其和栅极导体连接处的其余沟道形成绝缘。

公开(公告)号：CN1477716A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03133016.9

申请日：2003-04-22

Applicant: M/A-COM公司

Inventor： 戴恩·C·米勒 ,  因德·J·巴尔 ,  爱德华·L·格里芬

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/812

Abstract: 一种平面型MESFET晶体管，包括多个FET元件。每个FET元件包括一掺杂的平面沟道、以及与该沟道端部连接的源极和漏极。一栅极导体位于源极和漏极之间的位置处的部分沟道的上方，并从漏极延伸一第一预定距离。一场电极与栅极导体相连接，并向漏极延伸一第二预定距离，该场电极通过一介电材料与除了其和栅极导体连接处的其余沟道形成绝缘。