公开(公告)号：TW216827B

公开(公告)日：1993-12-01

申请号：TW082101773

申请日：1993-03-10

Applicant: MCNC公司

Inventor： 加里.W.瓊斯 ,  孫慶宗

IPC: H01L

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/319

Abstract: 一種垂直延伸之微電子場射極具有一導電頂部及電阻底部於一延伸的縱列中，此縱列垂直自一水平基底上延伸。一射極形成於此縱列之底部，一汲極可形成於鄰近此縱列頂部附近之處。此延伸之縱列降低微電子場射極之寄生電容以提供高操作速率，且提供均勻的縱列對縱列的電阻值。此場射極可藉由形成第一尖端於基體之一表面而形成，其後環繞尖端而於基體中形成凹槽以於基體上形成縱列，且尖端位於縱列之頂部。此凹槽被充填以介質並有一導電層形成於此介質之上。凹槽亦可形成於基體之表面上且界定出位於基體中之縱列。其後將尖端形成於縱列之頂部。此凹槽被充填以介質且導電層形成於介質之上以形成汲極。

Abstract in simplified Chinese: 一种垂直延伸之微电子场射极具有一导电顶部及电阻底部于一延伸的纵列中，此纵列垂直自一水平基底上延伸。一射极形成于此纵列之底部，一汲极可形成于邻近此纵列顶部附近之处。此延伸之纵列降低微电子场射极之寄生电容以提供高操作速率，且提供均匀的纵列对纵列的电阻值。此场射极可借由形成第一尖端于基体之一表面而形成，其后环绕尖端而于基体中形成凹槽以于基体上形成纵列，且尖端位于纵列之顶部。此凹槽被充填以介质并有一导电层形成于此介质之上。凹槽亦可形成于基体之表面上且界定出位于基体中之纵列。其后将尖端形成于纵列之顶部。此凹槽被充填以介质且导电层形成于介质之上以形成汲极。