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公开(公告)号:TW200626750A
公开(公告)日:2006-08-01
申请号:TW094145507
申请日:2005-12-21
Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Abstract: 本發明係蝕刻液及其補充液、以及使用其之導體圖案形成方法。本發明之蝕刻液係對選自Ni、Cr、Ni–Cr合金及Pd中至少1種金屬進行蝕刻,該蝕刻液係水溶液,其含有選自NO、N2O、NO2、N2O3及該等的離子中至少1種成分,以及酸成分。本發明的導體圖案(1)之形成方法,係對選自Ni、Cr、Ni–Cr合金及Pd中至少1種金屬,利用上述蝕刻液進行蝕刻而形成導體圖案(1)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系蚀刻液及其补充液、以及使用其之导体图案形成方法。本发明之蚀刻液系对选自Ni、Cr、Ni–Cr合金及Pd中至少1种金属进行蚀刻,该蚀刻液系水溶液,其含有选自NO、N2O、NO2、N2O3及该等的离子中至少1种成分,以及酸成分。本发明的导体图案(1)之形成方法,系对选自Ni、Cr、Ni–Cr合金及Pd中至少1种金属,利用上述蚀刻液进行蚀刻而形成导体图案(1)。