NON-DISSIPATIVE MEMORY SYSTEM
    1.
    发明申请
    NON-DISSIPATIVE MEMORY SYSTEM 审中-公开
    非破坏性存储系统

    公开(公告)号:WO1982001274A1

    公开(公告)日:1982-04-15

    申请号:PCT/US1981001172

    申请日:1981-08-31

    Applicant: MOTOROLA INC

    CPC classification number: G11C5/00 G11C8/10

    Abstract: Un systeme de memoire est utilise pour stocker des donnees et est mis sous tension par les signaux d'acces et uniquement pendant ceux-ci, ce qui lui permet de ne consommer pratiquement aucun courant lorsqu'il n'est pas sollicite. Le systeme de memoire comprend un reseau de decodage (10) utilisant un melange de transistors NPN et PNP, et un circuit tampon (14) a l'entree d'une rangee (16) de cellules de memoire permet l'utilisation d'un nombre minimum de lignes de selection, necessitant une alimentation faible.

    Abstract translation: 存储器系统用于存储数据,并且仅在访问信号期间被加电,因此在不被访问时基本上不使用电流。 存储器系统包括使用NPN和PNP晶体管的混合的解码网络,并且在存储器单元阵列的输入处的缓冲电路允许使用具有低功率需求的最小数量的选择线。

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