公开(公告)号：CA2567907A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：CA2567907

申请日：2005-06-07

Applicant: NANOSYS INC

Inventor： DUAN XIANGFENG ,  FREEMAN WILLIAM P ,  HEALD DAVID ,  LEON FRANCISCO ,  LIU CHAO ,  SCHER ERIK ,  BURETEA MIHAI ,  BREWER RHETT ,  WHITEFORD JEFFERY A ,  CHEN JIAN ,  CRUDEN CHU KAREN ,  MEISEL ANDREAS ,  PARCE J WALLACE ,  MIN KYU S

IPC: B31B15/02 ,  H01G4/14

公开(公告)号：AU2005254490A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：AU2005254490

申请日：2005-06-07

Applicant: NANOSYS INC

Inventor： CHEN JIAN ,  BREWER RHETT ,  MEISEL ANDREAS ,  FREEMAN WILLIAM P ,  SCHER ERIK ,  CRUDEN CHU KAREN ,  LIU CHAO ,  DUAN XIANGFENG ,  WHITEFORD JEFFERY A ,  HEALD DAVID ,  LEON FRANCISCO ,  BURETEA MIHAI ,  MIN KYU S ,  PARCE J WALLACE

IPC: B31B15/02 ,  H01G4/14

公开(公告)号：WO2005112122A2

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：PCT/US2005008891

申请日：2005-03-17

Applicant: NANOSYS INC ,  STUMBO DAVID ,  CHEN JIAN ,  HEALD DAVID ,  PAN YAOLING

Inventor： STUMBO DAVID ,  CHEN JIAN ,  HEALD DAVID ,  PAN YAOLING

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/93

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/93 ,  Y10S977/762

Abstract: A nanowire varactor diode and methods of making the same are disclosed. The structure comprises a coaxial capacitor running the length of the semiconductor nanowire. In one embodiment, a semiconductor nanowire of a first conductivity type is deposited on a substrate. An insulator is formed on at least a portion of the nanowire's surface. A region of the nanowire is doped with a second conductivity type material. A first electrical contact is formed on at least part of the insulator and the doped region. A second electrical contact is formed on a non-doped potion of the nanowire. During operation, the conductivity type at the surface of the nanowire inverts and a depletion region is formed upon application of a voltage to the first and second electrical contacts. The varactor diode thereby exhibits variable capacitance as a function of the applied voltage.

Abstract translation: 公开了一种纳米线变容二极管及其制造方法。 该结构包括运行半导体纳米线长度的同轴电容器。 在一个实施例中，第一导电类型的半导体纳米线沉积在衬底上。 在纳米线表面的至少一部分上形成绝缘体。 纳米线的区域掺杂有第二导电类型的材料。 在绝缘体和掺杂区域的至少一部分上形成第一电接触。 在纳米线的非掺杂药液上形成第二电接触。 在操作期间，纳米线表面的导电类型反转，并且在向第一和第二电触点施加电压时形成耗尽区。 因此，变容二极管作为施加电压的函数呈现可变电容。

公开(公告)号：WO2005123373A3

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/US2005020100

申请日：2005-06-07

Applicant: NANOSYS INC ,  WHITEFORD JEFFERY A ,  BREWER RHETT ,  BURETEA MIHAI ,  CHEN JIAN ,  CRUDEN CHU KAREN ,  DUAN XIANGFENG ,  FREEMAN WILLIAM P ,  HEALD DAVID ,  LEON FRANCISCO ,  LIU CHAO ,  MEISEL ANDREAS ,  MIN KYU S ,  PARCE J WALLACE ,  SCHER ERIK

Inventor： WHITEFORD JEFFERY A ,  BREWER RHETT ,  BURETEA MIHAI ,  CHEN JIAN ,  CRUDEN CHU KAREN ,  DUAN XIANGFENG ,  FREEMAN WILLIAM P ,  HEALD DAVID ,  LEON FRANCISCO ,  LIU CHAO ,  MEISEL ANDREAS ,  MIN KYU S ,  PARCE J WALLACE ,  SCHER ERIK

IPC: B32B5/16 ,  B31B15/02 ,  H01G4/14

CPC classification number: C09C1/3081 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C09C3/006 ,  C09C3/063 ,  C09C3/12 ,  H01G4/14 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2989 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996 ,  Y10T428/2998

Abstract: Ligand compositions for use in preparing discrete coated nanostructures are provided, as well as the coated nanostructures themselves and devices incorporating same. Methods for post-deposition shell formation on a nanostructure and for reversibly modifying nanostructures are also provided. The ligands and coated nanostructures of the present invention are particularly useful for close packed nanostructure compositions, which can have improved quantum confinement and/or reduced cross-talk between nanostructures.

Abstract translation: 提供了用于制备离散涂层纳米结构的配体组合物，以及涂覆的纳米结构本身和结合其的装置。 还提供了在纳米结构上沉积后壳形成和用于可逆修饰纳米结构的方法。 本发明的配体和包被的纳米结构对于紧密堆积的纳米结构组合物是特别有用的，其可以具有改进的量子限制和/或降低纳米结构之间的串扰。