公开(公告)号：CN1213486C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02129843.2

申请日：2002-08-15

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 丹羽隆树 ,  岛胁秀德 ,  东晃司 ,  黑泽直人

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 异质结双极型晶体管具有提高的击穿电压，并抑制IC-VCE特性的增长特性的退化。集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。

公开(公告)号：CN1619830A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410094800.0

申请日：2004-11-18

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 丹羽隆树

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7371

Abstract: 一种异质结双极晶体管，具有一个结构，其中在半绝缘半导体衬底上依次淀积具有比集电极层更高掺杂浓度的第一导电类型的子集电极层、第一导电类型的集电极层、第二导电类型基极层以及第一导电类型的发射极层，以及其中在基极层和集电极层之间插入具有比基极层更宽带隙的半导体材料的空穴阻挡层，以便与基极层直接接触。

公开(公告)号：CN1433082A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02129843.2

申请日：2002-08-15

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 丹羽隆树 ,  岛胁秀德 ,  东晃司 ,  黑泽直人

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 异质结双极型晶体管具有提高的击穿电压，并抑制IC－VCE特性的增长特性的退化。集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。