公开(公告)号：DE112010002623B4

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE112010002623

申请日：2010-03-22

Applicant: NOKIA TECHNOLOGIES OY

Inventor： LEHTINIEMI REIJO ,  KÄRKKÄINEN ASTA ,  LECHNER LORENZ ,  HAKONEN PERTTI ,  HAQUE SAMIUL MD

IPC: H01L21/28 ,  B82B3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00

Abstract: Verfahren, umfassend: Ausbilden einer Aussparung in einer Graphenschicht unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahls, wobei die Aussparung eine Bereichsgrenze zwischen einem ersten Teilbereich der Graphenschicht und einem zweiten Teilbereich der Graphenschicht erzeugt; Aufbringen eines elektrisch isolierenden Materials in der Aussparung; und Aufbringen eines elektrisch leitfähigen Materials über dem isolierenden Material.