Abstract:
La présente invention concerne un équipement de dépôt de diamant en phase vapeur comprenant : - un réacteur sous vide (3) comprenant une chambre de réaction reliée à une source de vide, - un porte-substrat (5) disposé dans le réacteur. Selon l'invention, l'équipement comporte une pluralité de sources de plasma, disposées selon une matrice tridimensionnelle dans la chambre de réaction, chaque source présentant une zone active située dans la chambre de réaction, le nombre de sources ponctuelles étant compris entre 80 et 320 par mètre carré de surface de plasma.
Abstract:
In the present invention a method is disclosed for producing synthetic material on a substrate by microwave plasma activated chemical vapor deposition. The method comprises the step of providing a microwave plasma reactor configured to provide a plasma having a toroidal shape. The reactor comprises a resonant cavity and a substrate holder arranged to hold, preferably, an annular shaped substrate or a plurality of substrates arranged in an annular configuration. When the reactor is in operation, it forms a plasma which has a toroidal shape and is aligned and proximate to a substrate whereupon a ring of synthetic hard material is grown over the growth surface of the substrate. The invention is also achieved by a plasma reactor that is configured to provide a plasma having a toroidal shape facing at least one substrate to be coated with an annular shaped hard material such as diamond.