公开(公告)号：EP1760797A1

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：EP06023789.8

申请日：2000-03-22

Applicant: Ovonyx Inc.

Inventor： Lowrey, Tyler ,  Ovshinsky, Stanford R. ,  Wicker, Guy C. ,  Klersy, Patrick J. ,  Pashmakov, Boil ,  Czubatyj, Wolodymyr ,  Kostylev, Sergey

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

Abstract: A memory element comprising a volume of phase change memory material (250) ; and first and second contact for supplying an electrical signal to the memory material (250), wherein the first contact comprises a conductive sidewall spacer (130A, B). Alternately, the first contact may comprise a contact layer having an edge adjacent to the memory material (250).

Abstract translation: 一种存储元件，包括一定量的相变存储器材料（250）; 以及用于向所述存储材料（250）提供电信号的第一和第二接触，其中所述第一接触包括导电侧壁间隔物（130A，B）。 或者，第一接触可以包括具有与存储材料（250）相邻的边缘的接触层。