公开(公告)号：ES2357616T3

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：ES05853521

申请日：2005-12-07

Applicant: PICOMETRIX LLC

Inventor： SACKS ROBERT ,  JAZWIECKI MATHEW ,  WILLIAMSON STEVEN

IPC: H01L31/09

Abstract: Estructura semiconductora fotodetectora que comprende: contactos metálicos (18); un substrato de GaAs o InP (14); una capa epitaxial (12) con crecimiento a baja temperatura no estequiométrica y rica en arsénico de Inx Ga1-x As cuyo crecimiento se ha efectuado sobre el substrato (14), siendo x superior aproximadamente a 0,1 y menor aproximadamente de 0,53; y una capa semiconductora epitaxial con intersticio de banda más amplia con crecimiento en forma de capa de recubrimiento (16) por encima de la capa epitaxial (12) de Inx Ga1-x As, en la que la capa de recubrimiento epitaxial de intersticio de banda más amplia (16) es colocada entre los contactos metálicos (18) y la capa epitaxial (12) de Inx Ga1-x As; en la que la capa de recubrimiento epitaxial de intersticio de banda más amplio (16) tiene un grosor en un rango comprendido aproximadamente entre 5 y 100 nm, en la que la estructura es modelada hasta el substrato excepto en una pequeña plataforma restante en la que se deposita sobre la superficie de la estructura del semiconductor, una película dieléctrica (20) eléctricamente aislante excepto en una zona, que define una ventana centrada sobre la superficie superior de la plataforma, y en la que los contactos metálicos (18) son depositados sobre la película dieléctrica (20) y teniendo un intersticio entre ellos que está posicionado de manera tal que el intersticio y partes de cada electrodo se encuentran en la ventana de la película dieléctrica (20) y hacen contacto con la superficie de la estructura semiconductora superior de la plataforma.

公开(公告)号：AT496398T

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：AT05853521

申请日：2005-12-07

Applicant: PICOMETRIX LLC

Inventor： SACKS ROBERT ,  JAZWIECKI MATHEW ,  WILLIAMSON STEVEN

IPC: H01L31/09

Abstract: A semiconductor structure includes a GaAs or InP substrate, an InxGa1-xAs epitaxial layer grown on the substrate, where x is greater than about 0.01 and less than about 0.53, and a wider bandgap epitaxial layer grown as a cap layer on top of the InxGa1-xAs epitaxial layer.