公开(公告)号：CN102884635B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180011459.6

申请日：2011-01-18

Applicant: Q电池欧洲公司

Inventor： A·皮芬宁 ,  B·弗尔维特-科万特 ,  A·胡伯特

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及太阳能电池(1)，包括衬底(2)、半导体层(3)、在半导体层(3)的第一表面(5)上的第一汇流条(4)、以及在半导体层(3)的第二表面(7)上的第二汇流条(6)，其中沿连接线(8)，第一汇流条(4)具有接触点(9，9’)，所述接触点具有垂直于连接线(8)的最大宽度bImax，电流收集区(10)被设置在连接线上(8)的接触点之间，该电流收集区在接触区(11)中与接触点(9，9’)接触，其中该接触区(11)在连接线(8)的两侧具有两个外点(P1)以及(P2)，这两个外点垂直于连接线(8)的距离定义了电流收集区(10)的最大宽度bSmax，其中bImax>bSmax，并且从一个接触点(9)开始直到邻接接触点的(9’)的电流收集区(10)的宽度b首先在两个内点(P3)以及(P4)之间减少到最小宽度bSmin，并然后再次增加直到邻接接触点(9’)增加到最大宽度bSmax’。

公开(公告)号：CN102884635A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180011459.6

申请日：2011-01-18

Applicant: Q电池欧洲公司

Inventor： A·皮芬宁 ,  B·弗尔维特-科万特 ,  A·胡伯特

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及太阳能电池（1），包括衬底（2）、半导体层（3）、在半导体层（3）的第一表面（5）上的第一汇流条（4）、以及在半导体层（3）的第二表面（7）上的第二汇流条（6），其中沿连接线（8），第一汇流条（4）具有接触点（9，9’），所述接触点具有垂直于连接线（8）的最大宽度bImax，电流收集区（10）被设置在连接线上（8）的接触点之间，该电流收集区在接触区（11）中与接触点（9，9’）接触，其中该接触区（11）在连接线（8）的两侧具有两个外点（P1）以及（P2），这两个外点垂直于连接线（8）的距离定义了电流收集区（10）的最大宽度bSmax，其中bImax