公开(公告)号：ES2755030T3

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：ES13728878

申请日：2013-05-24

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： TASIC ALEKSANDAR MIODRAG ,  DAVIERWALLA ANOSH BOMI

IPC: H03F1/22 ,  H03F3/193 ,  H03F3/68 ,  H03F3/72 ,  H03G3/20 ,  H04L27/26

Abstract: Un aparato, que comprende: una primera etapa del amplificador (950a) configurada para habilitarse o deshabilitarse independientemente, con la primera etapa del amplificador además configurada para recibir y amplificar una señal de radiofrecuencia, RF, de entrada y proporcionar una primera señal de RF de salida a un primer circuito de carga (990a) cuando la primera etapa del amplificador está habilitada, con la señal de RF de entrada que comprende transmisiones enviadas en múltiples portadoras a diferentes frecuencias a un dispositivo inalámbrico; y una segunda etapa del amplificador (950b) configurada para habilitarse o deshabilitarse independientemente, con la segunda etapa del amplificador configurada además para recibir y amplificar la señal de RF de entrada y proporcionar una segunda señal de RF de salida a un segundo circuito de carga (990b) cuando la segunda etapa del amplificador está habilitada y un circuito de coincidencia de entrada (932) acoplado a la primera y segunda etapas del amplificador y configurado para recibir una señal de entrada del receptor y proporcionar la señal de RF de entrada; y el circuito de coincidencia de entrada es sintonizable y comprende al menos un componente de circuito ajustable.

公开(公告)号：HUE045213T2

公开(公告)日：2019-12-30

申请号：HUE13728878

申请日：2013-05-24

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： TASIC ALEKSANDAR MIODRAG ,  DAVIERWALLA ANOSH BOMI

IPC: H03F1/22 ,  H03F3/68 ,  H03F3/72 ,  H03G3/20 ,  H04L27/26

公开(公告)号：WO2014078333A2

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：PCT/US2013069752

申请日：2013-11-12

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： TASIC ALEKSANDAR MIODRAG ,  DAVIERWALLA ANOSH BOMI ,  NARATHONG CHIEWCHARN ,  VAN ZALINGE KLAAS

IPC: H03F3/193

CPC classification number: H04W88/02 ,  H03F3/193 ,  H03F3/68 ,  H04B1/0053

Abstract: Omni-band amplifiers supporting multiple band groups are disclosed. In an exemplary design, an apparatus (e.g., a wireless device, an integrated circuit, etc.) includes at least one gain transistor and a plurality of cascode transistors for a plurality of band groups. Each band group covers a plurality of bands. The gain transistor(s) receive an input radio frequency (RF) signal. The cascode transistors are coupled to the gain transistor(s) and provide an output RF signal for one of the plurality of band groups. In an exemplary design, the gain transistor(s) include a plurality of gain transistors for the plurality of band groups. One gain transistor and one cascode transistor are enabled to amplify the input RF signal and provide the output RF signal for the selected band group. The gain transistors may be coupled to different taps of a single source degeneration inductor or to different source degeneration inductors.

Abstract translation: 公开了支持多频带组的全频带放大器。 在示例性设计中，装置（例如，无线设备，集成电路等）包括用于多个频带组的至少一个增益晶体管和多个级联晶体管。 每个乐队组涵盖多个乐队。 增益晶体管接收输入射频（RF）信号。 级联晶体管耦合到增益晶体管并为多个频带组中的一个提供输出RF信号。 在示例性设计中，增益晶体管包括用于多个频带组的多个增益晶体管。 一个增益晶体管和一个共源共栅晶体管能够放大输入RF信号并为选定的频带组提供输出RF信号。 增益晶体管可以耦合到单个源极退化电感器的不同抽头或不同源极退化电感器。