公开(公告)号：KR20200135151A

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：KR20200022966

申请日：2020-02-25

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Inventor： GEROUSIS VASSILIOS CONSTANTINOS ,  SENGUPTA RWIK ,  HONG JOON GOO ,  TRAYNOR KEVIN MICHAEL

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L23/525

Abstract: 매립된파워레일로부터파워분배네트워크로전기적연결을가능하게하는구성의탭 셀이설명된다. 상기탭 셀은 VDD 파워공급레일및 VSS 파워공급레일을포함하는매립된파워레일층, 상기매립된파워레일층 상에교대로배열된다수의비아층들및 다수의배선층들, 상기다수의배선층들중 하나는파워공급배선층이고, 상기다수의배선층들중, 상기파워공급배선층 내의 VDD 파워공급금속배선및 VSS 파워공급금속배선, 상기 VDD 파워공급레일을상기 VSS 파워공급금속배선과전기적으로연결하는 VDD 파워공급구조, 및상기 VSS 파워공급레일을상기 VSS 파워공급금속배선과전기적으로연결하는 VSS 파워공급구조를포함할수 있다. 상기 VDD 파워공급구조및 상기 VSS 파워공급구조는상면도에서대칭구조를가질수 있다. 상기탭 셀은능동반도체소자를포함하지않을수 있다.

公开(公告)号：KR20200144452A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：KR20200019777

申请日：2020-02-18

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Inventor： WANG WEI E ,  RODDER MARK ,  GEROUSIS VASSILIOS CONSTANTINOS

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 스택형전계효과트랜지스터(FET) 회로를형성하는방법이제공된다. 본개시의방법은제1 웨이퍼및 제2 웨이퍼를제공하고, 제1 웨이퍼의표면상에제1 유전체층을형성하고, 제2 웨이퍼의표면상에제2 유전체층을형성하고, 및제1 웨이퍼를제1 유전체층및 제2 유전체층에서제2 웨이퍼에본딩하는것을포함한다.