公开(公告)号：CH704551A2

公开(公告)日：2012-08-31

申请号：CH2252012

申请日：2012-02-22

Applicant: SIGATEC SA

Inventor： GLASSEY MARC-ANDRE ,  GYGAX PIERRE

IPC: G04B17/22 ,  G04B17/06

Abstract: La présente demande concerne un spiral en silicium (ou en d’autres matériaux avec les propriétés souhaitées) qui est recouvert d’une ou de plusieurs couches à effet piézoélectrique pour lequel la fréquence peut être ajustée d’une manière simple selon les besoins. Notamment, cette demande concerne un tel spiral pour lequel le réglage de la fréquence se fait par un circuit électronique passif connecté aux éléments piézoélectriques, notamment pour la thermo-compensation.

公开(公告)号：CH705724B1

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：CH17652011

申请日：2011-11-03

Applicant: SIGATEC SA

Inventor： GLASSEY MARC-ANDRÉ ,  GYGAX PIERRE

IPC: B81B3/00 ,  B81B1/00 ,  G04B17/06 ,  G04D3/00

Abstract: La présente invention se rapporte à une pièce de micromécanique (1), notamment pour l’horlogerie, comprenant une âme (11) au moins partiellement en un matériau semi-conducteur électrique et un revêtement (12) sur la surface de l’âme (11) en un matériau isolant électrique, dans laquelle la surface de l’âme (11) est au moins sur une partie libérée du revêtement (12) isolant et le matériau semi-conducteur de l’âme (11) possède une conductivité appropriée, de façon à permettre une décharge électrique entre l’âme (11) et un corps extérieur. Notamment, l’âme (11) de la pièce (1) peut être en silicium dopé ou soumis à une implantation ionique. En outre, l’invention se rapporte également à un procédé de fabrication de la pièce (1).

公开(公告)号：CH705724A1

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CH17652011

申请日：2011-11-03

Applicant: SIGATEC SA

Inventor： GLASSEY MARC-ANDRE ,  GYGAX PIERRE

IPC: B81B3/00 ,  B81B1/00 ,  G04B17/06 ,  G04D3/00

Abstract: La présente invention se rapporte à une pièce de micromécanique (1), notamment pour l’horlogerie, comprenant une âme (11) au moins partiellement en un matériau semi-conducteur électrique et un revêtement (12) sur la surface de l’âme (11) en un matériau isolant électrique, dans laquelle le matériau semi-conducteur de l’âme (11) possède une conductivité électrique élevée et la surface de l’âme (11) est au moins sur une partie libérée du revêtement (12), de façon à permettre une décharge électrique entre l’âme (11) et un corps extérieur. Notamment, l’âme (11) de la pièce (1) peut être en silicium dopé ou soumis à une implantation ionique. En outre, l’invention se rapporte également à un procédé de fabrication de la pièce (1).