包含硅系阴极活性物质的阴极及包括其的二次电池

    公开(公告)号:CN116454209A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310007414.6

    申请日:2023-01-04

    Abstract: 本发明涉及包含硅系阴极活性物质的阴极及包括其的二次电池,根据本发明的一个实施例,可提供一种包括集流体及位于所述集流体上且包括多个硅系活性物质颗粒的阴极活性物质层,满足以下关系式1的二次电池用阴极,[关系式1]0.01≤A‑B≤0.81,所述关系式1中,A是对在所述阴极活性物质层内任意选择的50个硅系活性物质颗粒的拉曼光谱峰强度比Ia/Ib的平均值,B是对所述50个硅系活性物质颗粒的各拉曼光谱峰强度比Ia/Ib值中除前10个值及后10个值以外的其余值的平均值,所述Ia是515±15cm‑1处的峰强度,所述Ib是470±30cm‑1处的峰强度。本发明能够确保阴极活性物质层内硅系活性物质颗粒的均匀的结晶性、尺寸分布。

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