公开(公告)号：FR2918797B1

公开(公告)日：2009-11-06

申请号：FR0705096

申请日：2007-07-13

Applicant: SOFILETA SA

Inventor： BENWADIH MOHAMED

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: This organic field effect transistor comprises a semiconductor layer made of an organic semiconductor material. The mobility μsup of the charge carriers in the first portion of the semiconductor layer is X times greater than the mobility μinf of the charge carriers in the second portion of the semiconductor layer, with the first portion corresponding to 10% of the volume of the semiconductor layer closest to the gate electrode and the second portion corresponding to 10% of the volume of the semiconductor layer closest to the drain and source electrodes.

公开(公告)号：FR2918797A1

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：FR0705096

申请日：2007-07-13

Applicant: SOFILETA SA

Inventor： BENWADIH MOHAMED

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: Ce transistor organique à effet de champ comprend une couche semi-conductrice (10) réalisée en matériau semi-conducteur organique. La mobilité &mu sup des porteurs de charges dans un premier volume de la couche semi-conductrice est dix fois supérieure à la mobilité &mu inf des porteurs de charges dans un second volume de la couche semi-conductrice, le premier volume correspondant aux 10% du volume de la couche semi-conductrice les plus proches de l'électrode de grille et le second volume correspondant aux 10% du volume de la couche semi-conductrice les plus proches des électrodes de drain et de source.