公开(公告)号：DE112019003771T5

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：DE112019003771

申请日：2019-07-25

Applicant: SONY CORP ,  SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORP

Inventor： HATTORI SHINNOSUKE ,  KOBAYASHI HAJIME ,  MIYAJI SAE ,  KANNO MASATO ,  KIMIJIMA MIKI ,  HASEGAWA YUTA ,  NISHI TOSHIO ,  KAWASHIMA TAKASHI ,  SAITO YOSUKE ,  INABA YUTA

IPC: H01L51/44 ,  H01L27/30 ,  H01L31/02

Abstract: Bereitstellung eines photoelektrischen Umwandlungselements, das in der Lage ist, die Leistung eines photoelektrischen Umwandlungselements unter Verwendung eines organischen Halbleitermaterials weiter zu verbessern. Das photoelektrische Umwandlungselement umfasst eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die so angeordnet sind, dass sie einander gegenüberliegen, und eine photoelektrische Umwandlungsschicht 17, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode vorgesehen ist, wobei die photoelektrische Umwandlungsschicht 17 ein erstes organisches Halbleitermaterial und ein zweites organisches Halbleitermaterial umfasst, und mindestens eines von dem ersten organischen Halbleitermaterial oder dem zweiten organischen Halbleitermaterial ein organisches Molekül mit einem HOMO-Volumenanteil von 0,15 oder weniger oder einem LUMO-Volumenanteil von 0,15 oder weniger ist.

公开(公告)号：DE112019002761T5

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：DE112019002761

申请日：2019-05-13

Applicant: SONY CORP ,  SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORP

Inventor： SAITO YOSUKE ,  MIYAJI SAE ,  KANNO MASATO ,  UJIIE YASUHARU ,  HASEGAWA YUTA ,  ENOKI OSAMU ,  NEGISHI YUKI

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/146

Abstract: Ein erstes fotoelektrisches Umwandlungselement gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst: eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode, die so angeordnet ist, dass sie der ersten Elektrode gegenüberliegt; und eine fotoelektrische Umwandlungsschicht, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode vorgesehen ist und ein Chromophor, ein Fulleren oder ein Fulleren-Derivat und ein Löcher transportierendes Material enthält, worin das Chromophor und das Fulleren oder das Fulleren-Derivat über eine vernetzende Gruppe in der fotoelektrischen Umwandlungsschicht zumindest teilweise aneinander gebunden sind.

公开(公告)号：EP2919277A4

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：EP13853391

申请日：2013-10-31

Applicant: SONY CORP

Inventor： UDAKA TORU ,  MURATA MASAKI ,  ENOKI OSAMU ,  AONUMA MASAYOSHI ,  MIYAJI SAE ,  ITO TAKUYA ,  SUDOU MIKI ,  MORIMOTO RUI ,  SASAKI HIROTO

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/0046 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: A solid-state image pickup unit of the invention includes a plurality of pixels, each of which includes a photoelectric conversion element (1). The photoelectric conversion element (1) includes a photoelectric conversion layer (13); and first and second electrodes (12, 14) provided with the photoelectric conversion layer in between, the photoelectric conversion layer including a first organic semiconductor of a first conductive type and a second organic semiconductor of a second conductive type, and being configured by addition of a third organic semiconductor made of a derivative or an isomer of one of the first and second organic semiconductors.

Abstract translation: 本发明的固体摄像单元包括多个像素，每个像素包括光电转换元件（1）。 光电转换元件（1）包括光电转换层（13）。 以及在其间设置有光电转换层的第一和第二电极（12,14），所述光电转换层包括第一导电类型的第一有机半导体和第二导电类型的第二有机半导体，并且通过添加 由第一和第二有机半导体之一的衍生物或异构体制成的第三有机半导体。

公开(公告)号：JP2012122797A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：JP2010272496

申请日：2010-12-07

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： MIYAJI SAE ,  HIRANO GO

IPC: G01N21/65 ,  H01L31/04 ,  H01M14/00

CPC classification number: G01N21/65 ,  H01G9/2027 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0031 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for evaluating an oxide semiconductor electrode wherein the amount of pigments absorbed to the oxide semiconductor electrode can be quantified by simple measurement in a short time, and to provide a method of manufacturing the oxide semiconductor electrode having excellent characteristics.SOLUTION: By Raman spectroscopy, the central part of one main surface on the side irradiated with light shown by an arrow p out of two main surfaces of an oxide semiconductor electrode layer 33 is measured, thereby obtaining a Raman spectrum including the peak derived from the pigment and the peak derived from the oxide semiconductor. A parameter of the amount of pigment absorption (peak intensity derived from the pigment/peak intensity derived from the oxide semiconductor) is calculated from the Raman spectrum. Based on the parameter of the amount of the pigment absorption, the oxide semiconductor electrode is evaluated.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于评估氧化物半导体电极的方法和装置，其中通过在短时间内的简单测量可以量化吸收到氧化物半导体电极的颜料的量，并提供制造方法 具有优异特性的氧化物半导体电极。 解决方案：通过拉曼光谱法，测量在氧化物半导体电极层33的两个主表面中由箭头p所示的光侧照射的一个主表面的中心部分，从而获得包括峰值的拉曼光谱 衍生自颜料和衍生自氧化物半导体的峰。 从拉曼光谱计算颜料吸收量（由颜料衍生的峰强度/来自氧化物半导体的峰强度）的参数。 基于颜料吸收量的参数，评价氧化物半导体电极。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT