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公开(公告)号：CN1433577A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN00818683.9
申请日：2000-08-31
Applicant: ST微电子公司
IPC: H01L29/792 , H01L27/115 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/7882 , H01L29/792
Abstract: 本发明涉及存储单元，它包括具有被介电层分隔开的第一电极和第二电极的电容器，其特征在于：所述介电层包含一层完全被绝缘材料包围的半绝缘材料，其中电荷持久地存在或被俘获，所述电荷被聚集在第一或第二电极附近，这取决于第一和第二电极之间的电场，因而定义不同的逻辑电平。
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