公开(公告)号：CN1163740C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN97198173.6

申请日：1997-09-19

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 克劳迪·萨沃阿 ,  马兹勒·米拉尼 ,  俄米里·瑟特卡萨

IPC: G01N23/04

CPC classification number: B82Y15/00 ,  G01N23/04

Abstract: 用聚焦离子束(FIB)加工机切割光纤样品切片，并用软x-射线光源对切片进行接触x-射线照相，可以对光纤芯中的掺杂质进行精确地特性表征。通过在电子或原子力显微镜下分析接触x-射线照相，便可得到光纤芯玻璃基质中掺杂剂离子的分布图。通过对不同厚度的多个切片的结果进行插值处理，便可确定出单位长度光纤的掺杂剂浓度值。

公开(公告)号：CN1231727A

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：CN97198173.6

申请日：1997-09-19

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 克劳迪·萨沃阿 ,  马兹勒·米拉尼 ,  俄米里·瑟特卡萨

IPC: G01N23/04

CPC classification number: B82Y15/00 ,  G01N23/04

Abstract: 用聚焦离子束(FIB)加工机切割光纤样品切片,并用软x－射线光源对切片进行接触x－射线照相,可以对光纤芯中的掺杂质进行精确地特性表征。通过在电子或原子力显微镜下分析接触x－射线照相,便可得到光纤芯玻璃基质中掺杂剂离子的分布图。通过对不同厚度的多个切片的结果进行插值处理,便可确定出单位长度光纤的掺杂剂浓度值。