公开(公告)号：CN1414627A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02143331.3

申请日：2002-09-25

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕斯卡·迦德斯

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76286 ,  H01L29/404

Abstract: 一种在一部分绝缘体上的半导体衬底中形成元件的方法，特征在于：侧壁由绝缘层与所述部分内部的周边区隔开，并重掺杂成与所述衬底相同的导电类型。与所述壁同时在衬底表面的保护层上形成导电板，所述板与周边区电接触，所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸，超出了周边区和衬底之间的界限上的位置。

公开(公告)号：CN1303673C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN02143331.3

申请日：2002-09-25

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕斯卡·迦德斯

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76286 ,  H01L29/404

Abstract: 一种在一部分绝缘体上的半导体衬底中形成元件的方法，特征在于：侧壁由绝缘层与所述部分内部的周边区隔开，并重掺杂成与所述衬底相同的导电类型。与所述壁同时在衬底表面的保护层上形成导电板，所述板与周边区电接触，所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸，超出了周边区和衬底之间的界限上的位置。