公开(公告)号：CN1292628C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02144318.1

申请日：2002-10-09

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕斯卡尔·加蒂斯

IPC: H05K3/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/041 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在包括衬底的单片电路中制作电感和穿透通道的方法，包括按要形成的电感形状从衬底的第一表面形成至少一个沟槽的步骤；在衬底中由激光在通道所需位置处形成穿透孔；同时绝缘沟槽和孔的表面；并且在沟槽中以及至少在孔壁上沉积导电材料。

公开(公告)号：CN1420716A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02144318.1

申请日：2002-10-09

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕斯卡尔·加蒂斯

IPC: H05K3/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/041 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在包括衬底的单片电路中制作电感和穿透通孔的方法，包括按要形成的电感形状从衬底的第一表面形成至少一个沟槽的步骤；在衬底中由激光在通孔所需位置处形成穿透孔；同时绝缘沟槽和孔的表面；并且在沟槽中以及至少在孔壁上沉积导电材料。