公开(公告)号：CN1483223A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN01821446.0

申请日：2001-12-28

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 索非·基蒙尼特 ,  弗朗克·杜克罗斯

IPC: H01L29/747

CPC classification number: H01L29/747

Abstract: 本发明涉及脉冲控制的双稳态双向电子开关，它包含由基底(1)形成的单片半导体电路，该基底的后表面(A2)上涂有接地的金属化涂层。所述电路包含具有第一栅极(M3)的垂直双向开关(T1，T2)，并且其位于前表面的主电极(A1)连接到负载并连接到交流电源；水平的闸流管(T3)，它包括垂直双向开关的上层(4)，第一P型区域(11)，及在第一区域中形成的第二N型区域(12)；连接到第一和第二区域之一的第二栅极(G1)，其中第一和第二区域中的另一个接地；连接到第一栅极(M3)和交流电源(VAC)的电容(C)。

公开(公告)号：CN1230908C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN01821446.0

申请日：2001-12-28

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 索非·基蒙尼特 ,  弗朗克·杜克罗斯

IPC: H01L29/747

CPC classification number: H01L29/747

Abstract: 本发明涉及脉冲控制的双稳态双向电子开关，它包含由基底(1)形成的单片半导体电路，该基底的后表面(A2)上涂有接地的金属化涂层。所述电路包含具有第一栅极(M3)的垂直双向开关(T1，T2)，并且其位于前表面的主电极(A1)连接到负载并连接到交流电源；水平的闸流管(T3)，它包括垂直双向开关的上层(4)，第一P型区域(11)，及在第一区域中形成的第二N型区域(12)；连接到第一和第二区域之一的第二栅极(G1)，其中第一和第二区域中的另一个接地；连接到第一栅极(M3)和交流电源(VAC)的电容(C)。