公开(公告)号：CN100433296C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN01823325.2

申请日：2001-04-19

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 拉费尔·赞布拉诺 ,  西泽尔·阿托尼 ,  恰拉·科瓦斯

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种集成器件具有：一第一导电区(6A)；一第二导电区(11A)；一绝缘层(9)，配置在第一与第二导电区之间；至少一个通孔(35)，延伸在第一与第二导电区之间的所述绝缘层(9)之中；以及一接触装置(10A)，制成在通孔之中并在电气上连接第一导电区(6A)和第二导电区(11B)。接触装置(10A)由一导电材料层(30)构成，后者敷盖通孔(36)的侧向表面和底部表面并围绕一空置区(35)，此空置区在顶部处由第二导电区(11A)封住。导电材料层(30)最好是包括一钛层(31)和一氮化钛层(32)，配置得彼此顶部相叠。

公开(公告)号：CN1586005A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN01823325.2

申请日：2001-04-19

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 拉费尔·赞布拉诺 ,  西泽尔·阿托尼 ,  恰拉·科瓦斯

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种集成器件具有：一第一导电区(6A)；一第二导电区(11A)；一绝缘层(9)，配置在第一与第二导电区之间；至少一个通孔(35)，延伸在第一与第二导电区之间的所述绝缘层(9)之中；以及一接触装置(10A)，制成在通孔之中并在电气上连接第一导电区(6A)和第二导电区(11B)。接触装置(10A)由一导电材料层(30)构成，后者敷盖通孔(36)的侧向表面和底部表面并围绕一空置区(35)，此空置区在顶部处由第二导电区(11A)封住。导电材料层(30)最好是包括一钛层(31)和一氮化钛层(32)，配置得彼此顶部相叠。