公开(公告)号：CN100492667C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510121579.8

申请日：2005-12-23

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 弗雷德里克·拉努瓦 ,  西尔万·尼佐

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/872

Abstract: 一种具有垂直于半导体芯片的表面延伸的垂直势垒的肖特基二极管，包括一方面与半导体芯片的衬底接触、具有形成肖特基势垒的插入界面，另一方面与放射状延伸的导电指状物接触的垂直的中心金属导体。

公开(公告)号：CN1822398A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510121579.8

申请日：2005-12-23

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 弗雷德里克·拉努瓦 ,  西尔万·尼佐

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/872

Abstract: 一种具有垂直于半导体芯片的表面延伸的垂直势垒的肖特基二极管，包括一方面与半导体芯片的衬底接触、具有形成肖特基势垒的插入界面，另一方面与放射状延伸的导电指状物接触的垂直的中心金属导体。