公开(公告)号：CN1918710B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200480036161.0

申请日：2004-12-02

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 让-吕克·莫朗 ,  让-巴蒂斯特·夸兰 ,  弗雷德里克·拉努瓦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/417 ,  H01L29/73 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件，其有源连接相对于半导体芯片的表面以垂直方向延伸基本上达到其整个厚度。所述连接与可连接的区域一起由基本上穿过整个可接触区域的导电指状件(32、34)保持。

公开(公告)号：CN1918710A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200480036161.0

申请日：2004-12-02

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 让-吕克·莫朗 ,  让-巴蒂斯特·夸兰 ,  弗雷德里克·拉努瓦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/417 ,  H01L29/73 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件，其有源连接相对于半导体芯片的表面以垂直方向延伸基本上达到其整个厚度。所述连接与可连接的区域一起由基本上穿过整个可接触区域的导电指状件(32、34)保持。