公开(公告)号：CN1388575A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN02105498.3

申请日：2002-04-05

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 里夏尔·富尔内尔 ,  西里尔·德雷 ,  德尼埃尔·卡斯帕

IPC: H01L21/82

CPC classification number: G11C16/0416 ,  G11C16/0408

Abstract: 以电气方式清除存储单元,例如,其方式是向基片施加比施加于源极的电压VS与施加于漏极的电压ND中的较低的电压至少高4伏的电压VB,并且VB低于预定的极限值,高于比值单元就会被毁。

公开(公告)号：CN1263117C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN02105498.3

申请日：2002-04-05

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 里夏尔·富尔内尔 ,  西里尔·德雷 ,  德尼埃尔·卡斯帕

IPC: H01L21/82

CPC classification number: G11C16/0416 ,  G11C16/0408

Abstract: 以电气方式清除存储单元，例如，其方式是向基片施加比施加于源极的电压VS与施加于漏极的电压ND中的较低的电压至少高4伏的电压VB，并且VB低于预定的极限值，高于比值单元就会被毁。