Dispositif de génération de signaux radiofréquence en quadrature de phase, utilisable en particulier dans la technologie 5G

    公开(公告)号:FR3107796A1

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:FR2001936

    申请日:2020-02-27

    Abstract: Dispositif électronique intégré comprenant un module mélangeur (MXi) comportant un étage transconducteur tension/courant (ETT) comportant des premiers transistors (N5, N6) et connecté à un étage de mélange (ETM) comportant des deuxièmes transistors (N1-N4), dans lequel l’étage de mélange (ETM) comporte un circuit résistif de dégénérescence (R1-R4) connecté sur les sources des deuxièmes transistors et une entrée d’étalonnage (ECi) connectée aux grilles des deuxièmes transistors et destinée à recevoir une tension d’étalonnage ajustable (VGM), et les sources des premiers transistors (N5, N6) sont directement connectées à un point froid d’alimentation (GND). Figure pour l’abrégé : Fig 3

    Dispositif de génération de signaux radiofréquence en quadrature de phase, utilisable en particulier dans la technologie 5G

    公开(公告)号:FR3107796B1

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:FR2001936

    申请日:2020-02-27

    Abstract: Dispositif électronique intégré comprenant un module mélangeur (MXi) comportant un étage transconducteur tension/courant (ETT) comportant des premiers transistors (N5, N6) et connecté à un étage de mélange (ETM) comportant des deuxièmes transistors (N1-N4), dans lequel l’étage de mélange (ETM) comporte un circuit résistif de dégénérescence (R1-R4) connecté sur les sources des deuxièmes transistors et une entrée d’étalonnage (ECi) connectée aux grilles des deuxièmes transistors et destinée à recevoir une tension d’étalonnage ajustable (VGM), et les sources des premiers transistors (N5, N6) sont directement connectées à un point froid d’alimentation (GND). Figure pour l’abrégé : Fig 3

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