公开(公告)号：FR3120741A1

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：FR2102275

申请日：2021-03-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ALPS SAS ,  ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： MOENECLAEY NICOLAS ,  FOULON SAMUEL

IPC: H01L31/0352

Abstract: Le dispositif photosensible comporte une région semiconductrice de circuit périphérique (PRPH), une région semiconductrice de circuit photosensible (PHOT) comportant au moins un groupe d’au moins deux éléments photosensibles (PD1, PD2) configurés pour générer un signal photoélectrique sur un nœud dit critique (NC1, NC2). Le dispositif comporte en outre un circuit intégrateur par groupe d’éléments photosensibles, comportant chacun :- un étage différentiel (EDif1, EDif2) pour chaque élément photosensible du groupe (PD1, PD2), dans la région semiconductrice de circuit photosensible (PHOT), - un étage d’amplification (EAmp), dans la région semiconductrice de circuit périphérique (PRPH), et - une boucle de rétroaction pour chaque élément photosensible (PD1, PD2) du groupe, comprenant un élément capacitif (Cfb1, Cfb2) dans la région semiconductrice de circuit photosensible (PHOT) connecté entre le nœud de sortie de l’étage d’amplification (EAmp) et le nœud critique respectif (NC1). Figure pour l’abrégé : Fig 1