公开(公告)号：FR3098016A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1907150

申请日：2019-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： AVENIER GREGORY ,  GAUTHIER ALEXIS ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/328 ,  H01L27/102

Abstract: Procédé de réalisation d’une diode La présente description concerne un procédé de réalisation, conjointement sur un même substrat (500), d’au moins un transistor bipolaire (300) et d’au moins une diode à capacité variable (100). Figure pour l'abrégé : Fig. 18

公开(公告)号：FR3098015A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1907149

申请日：2019-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CHEVALIER PASCAL ,  GAUTHIER ALEXIS ,  AVENIER GREGORY

IPC: H01L27/102 ,  H01L21/328

Abstract: Procédé de réalisation d’une diode La présente description concerne un procédé de réalisation, conjointement sur un même substrat (500), d’au moins un transistor bipolaire (300) et d’au moins une diode à capacité variable (100). Figure pour l'abrégé : Fig. 17