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公开(公告)号：FR3102612A1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：FR1912072
申请日：2019-10-28
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： MAMDY BASTIEN
IPC: H01L31/107 , G01S7/4865 , H01L27/144
Abstract: Un circuit intégré comprend un substrat (SBT) semiconducteur incorporant un réseau (RES) de diodes de type diode à avalanche déclenchée par photon individuel comportant au moins deux diodes (SPAD1, SPAD2) adjacentes l’une à l’autre, et un miroir de Bragg (MB) respectivement interposé entre lesdites au moins deux diodes (SPAD1, SPAD2) adjacentes, le miroir de Bragg (MB) étant adapté pour empêcher une propagation de lumière entre ces deux diodes. Figure pour l’abrégé : 2
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公开(公告)号：FR3114190A1
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：FR2010469
申请日：2020-10-13
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , BARLAS MARIOS , LOPEZ ALEXANDRE , MAMDY BASTIEN , RAE BRUCE , NICHOLSON ISOBEL
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3114190B1
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：FR2010469
申请日：2020-10-13
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , BARLAS MARIOS , LOPEZ ALEXANDRE , MAMDY BASTIEN , RAE BRUCE , NICHOLSON ISOBEL
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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