公开(公告)号：FR3064399A1

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：FR1752371

申请日：2017-03-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  RIBES GUILLAUME C

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: L'invention concerne un transistor vertical comprenant deux portions (18) d'un conducteur de grille s'étendant dans une couche (6) d'isolant entre un drain (17) et une source (2), de part et d'autre d'une région de canal (14) formée par des épitaxies, l'épaisseur des portions (18) de conducteur de grille diminuant au voisinage de la région de canal (14).

公开(公告)号：FR3064399B1

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：FR1752371

申请日：2017-03-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  RIBES GUILLAUME C

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: L'invention concerne un transistor vertical comprenant deux portions (18) d'un conducteur de grille s'étendant dans une couche (6) d'isolant entre un drain (17) et une source (2), de part et d'autre d'une région de canal (14) formée par des épitaxies, l'épaisseur des portions (18) de conducteur de grille diminuant au voisinage de la région de canal (14).